[發明專利]圖像傳感器結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200610143308.7
• 申請日: 2006-11-03
• 公開（公告）號: CN101174582A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 陳宥先;黃明山;汪嘉將
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種圖像傳感器結構的制造方法，包括下列步驟：

提供基板；

在該基板上形成圖像傳感器電路結構；

在該圖像傳感器電路結構上形成圖案化停止層；

順應性地在該圖案化停止層和未被該圖案化停止層覆蓋的該圖像傳感器電路結構上依次形成電極層、第一摻雜非晶硅層和第一未摻雜非晶硅層；以及

進行平坦化步驟，以移除部分該第一未摻雜非晶硅層、該第一摻雜非晶硅層以及該電極層直至該圖案化停止層，使剩余的該電極層、該第一摻雜非晶硅層和該第一未摻雜非晶硅層被該圖案化停止層分隔。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器結構的制造方法，其中該平坦化步驟為化學機械拋光。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器結構的制造方法，其中進一步包括：

依次形成第二未摻雜非晶硅層、第二摻雜非晶硅層于剩余的該電極層、該第一摻雜非晶硅層、該第一未摻雜非晶硅層和該圖案化停止層上，以形成光電二極管層，該光電二極管層包括該第一摻雜非晶硅層、該第一未摻雜非晶硅層、該第二未摻雜非晶硅層和該第二摻雜非晶硅層。

4.如權利要求3所述的圖像傳感器結構的制造方法，其中該第一未摻雜非晶硅層與該第二未摻雜非晶硅層為相同的材質。

5.如權利要求3所述的圖像傳感器結構的制造方法，其中進一步包括：

形成透明導電層于該光電二極管層上。

6.如權利要求3所述的圖像傳感器結構的制造方法，其中該第一摻雜非晶硅層的導電類型為n型，該第二摻雜非晶硅層的導電類型為p型，或該第一摻雜非晶硅層的導電類型為p型，該第二摻雜非晶硅層的導電類型為n型。

7.如權利要求3所述的圖像傳感器結構的制造方法，其中該光電二極管層是以化學氣相沉積方式形成。

8.如權利要求1所述的圖像傳感器結構的制造方法，其中形成該圖案化停止層的方法包含形成氮化物層于該圖像傳感器電路結構上，以及對該氮化物層進行光刻及蝕刻工藝。

9.一種圖像傳感器結構，包括：

基板；

圖像傳感器電路結構形成于該基板上；以及

圖案化停止層，形成于該圖像傳感器電路結構上并且定義多個像素區，其中各該像素區包含電極層和第一摻雜非晶硅層，依次形成于未被該圖案化停止層覆蓋的該圖像傳感器電路結構上，且鄰接于該圖案化停止層。

10.如權利要求9所述的圖像傳感器結構，其中相鄰像素區的該電極層以及該第一摻雜非晶硅層被該圖案化停止層分隔而不連續。

11.如權利要求9所述的圖像傳感器結構，其中各像素區另外包含第一未摻雜非晶硅層形成于該第一摻雜非晶硅層上。

12.如權利要求9所述的圖像傳感器結構，其中該圖案化停止層為氮化物。

13.如權利要求9所述的圖像傳感器結構，其中該圖案化電極層為鈦化硅、鋁、鋁合金、銅、銅合金或其他銅基導電材料。

14.如權利要求11所述的圖像傳感器結構，其中進一步包括：

第二未摻雜非晶硅層以及

第二摻雜非晶硅層，依次形成于該圖案化停止層以及各該像素區上，以形成光電二極管層，該光電二極管層包括該第一摻雜非晶硅層、該第一未摻雜非晶硅層、該第二未摻雜非晶硅層和該第二摻雜非晶硅層。

15.如權利要求14所述的圖像傳感器結構，其中該第一摻雜非晶硅層的導電類型為n型，該第二摻雜非晶硅層的導電類型為p型，或該第一摻雜非晶硅層的導電類型為p型，該第二摻雜非晶硅層的導電類型為n型。

16.如權利要求14所述的圖像傳感器結構，其中進一步包括透明導電層，形成于該光電二極管層上。

17.如權利要求16所述的圖像傳感器結構，其中該透明導電層為銦錫氧化物、氧化錫或其他類似的材料。