[發(fā)明專利]氮化儲(chǔ)存記憶單元的多級(jí)操作

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610143122.1
• 申請(qǐng)日: 2006-11-01
• 公開（公告）號(hào): CN101110266A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳柏安;楊宇國;莊子慶;廖修漢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/56
• 分類號(hào): G11C11/56
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種多級(jí)氮化儲(chǔ)存記憶單元的程序化方法，適于儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)多種不同臨界電壓準(zhǔn)位的不同程序化狀態(tài)，該方法包括：

提供一可變電阻，以提供多數(shù)個(gè)不同電阻值；

將所述的氮化儲(chǔ)存記憶單元的一漏極端與所選定的所述的電阻值的其中之一連接，而每一所述的電阻值對(duì)應(yīng)所述的臨界電壓準(zhǔn)位的其中之一；以及

通過所選定的所述的電阻值的其中之一來施加一程序化電壓至所述的氮化儲(chǔ)存記憶單元的所述的漏極端，程序化該氮化儲(chǔ)存記憶單元，以儲(chǔ)存相對(duì)應(yīng)所述的臨界電壓準(zhǔn)位其中之一的一種程序化狀態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的多級(jí)氮化儲(chǔ)存記憶單元的程序化方法，其中該氮化儲(chǔ)存記憶單元包括，氮化硅只讀記憶單元、硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅記憶單元與雙金屬-氧化硅-氮化硅-氧化硅-半導(dǎo)體記憶單元其中之一。

3.如權(quán)利要求1所述的多級(jí)氮化儲(chǔ)存記憶單元的程序化方法，其中可控制所述的可變電阻以提供一零電阻。

4.如權(quán)利要求1所述的多級(jí)氮化儲(chǔ)存記憶單元的程序化方法，其中所提供的可變電阻，包括：

提供具有所述的電阻值的多數(shù)個(gè)電阻器，且所述的電阻器并聯(lián)連接；以及

提供一多任務(wù)器，該多任務(wù)器具有接受程序化電壓的一輸入以及分別耦接至每一所述的電阻器的一第一端的多數(shù)個(gè)輸出，

其中所述的多任務(wù)器可控制所選定的所述的電阻器的其中之一連接至所述的氮化儲(chǔ)存記憶單元的所述的漏極端。

5.如權(quán)利要求4所述的多級(jí)氮化儲(chǔ)存記憶單元的程序化方法，其中每一所述的電阻器對(duì)應(yīng)所述的臨界電壓準(zhǔn)位的其中之一，且每一所述的電阻器具有一預(yù)定量。

6.一種多級(jí)快閃存儲(chǔ)元件，包括：

一氮化儲(chǔ)存記憶單元；以及

可提供多數(shù)個(gè)不同電阻值的一可變電阻，

其中所述的氮化儲(chǔ)存記憶單元的一漏極端與所選定的所述的電阻值的其中之一連接，而每一所述的電阻值對(duì)應(yīng)所述的臨界電壓準(zhǔn)位的其中之一，且所述的可變電阻可用于使一程序化電壓耦接至所述的氮化儲(chǔ)存記憶單元的所述的漏極端。

7.如權(quán)利要求6所述的多級(jí)快閃存儲(chǔ)元件，所述的氮化儲(chǔ)存記憶單元包括，氮化硅只讀記憶單元、硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅記憶單元與雙金屬-氧化硅-氮化硅-氧化硅-半導(dǎo)體記憶單元的其中之一。

8.如權(quán)利要求6所述的多級(jí)快閃存儲(chǔ)元件，其中可控制所述的可變電阻以提供一零電阻。

9.如權(quán)利要求6所述的多級(jí)快閃存儲(chǔ)元件，其中所述的可變電阻包括一電阻器電路，該電阻器電路包括：

提供具有所述的電阻值的多數(shù)個(gè)電阻器，且所述的電阻器并聯(lián)連接；以及

提供一多任務(wù)器，該多任務(wù)器具有接受程序化電壓的一輸入以及分別耦接至每一所述的電阻器的一第一端的多數(shù)個(gè)輸出，

其中所述的多任務(wù)器可控制所選定的所述的電阻器的其中之一連接至所述的氮化儲(chǔ)存記憶單元的所述的漏極端。

10.如權(quán)利要求9所述的多級(jí)快閃存儲(chǔ)元件，其中每一所述的電阻器對(duì)應(yīng)所述的臨界電壓準(zhǔn)位的其中之一，且每一所述的電阻器具有一預(yù)定值。