[發明專利]磁頭無效
| 申請號: | 200610142712.2 | 申請日: | 2006-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN101097717A | 公開(公告)日: | 2008-01-02 |
| 發明(設計)人: | 青木知佳;小野隆英 | 申請(專利權)人: | 富士通株式會社 |
| 主分類號: | G11B5/11 | 分類號: | G11B5/11;G11B5/39 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 孫海龍 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁頭 | ||
1、一種磁頭,該磁頭包括:
寫入頭;
讀取頭,具有讀取元件,所述讀取元件通過電阻接地于基板;和
電磁波屏蔽層,遮住其中形成有所述電阻的電阻區域。
2、根據權利要求1所述的磁頭,
其中,所述讀取頭具有上屏蔽物和下屏蔽物,并且
在所述上屏蔽物和所述下屏蔽物中的至少一個上形成有屏蔽圖案,所述屏蔽圖案用作所述電磁波屏蔽層。
3、根據權利要求2所述的磁頭,
其中,所述電阻在分層方向上設置在所述下屏蔽物和所述基板之間。
4、根據權利要求3所述的磁頭,
其中,所述電阻在所述分層方向上設置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物之間。
5、根據權利要求1所述的磁頭,
其中,所述電阻在分層方向上設置在所述下屏蔽物和所述基板之間,并且
所述電磁波屏蔽層與構成所述讀取頭和所述寫入頭的磁層分開,并且在所述分層方向上形成在所述電阻和所述下屏蔽物之間。
6、根據權利要求1所述的磁頭,
其中,所述電阻在分層方向上設置在所述下屏蔽物和所述基板之間,并且
所述電磁波屏蔽層與構成所述讀取頭和所述寫入頭的磁層分開,并且在所述分層方向上形成在所述電阻和所述基板之間。
7、根據權利要求1所述的磁頭,
其中,所述電阻在分層方向上設置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物之間,并且
所述電磁波屏蔽層與構成所述讀取頭和所述寫入頭的磁層分開,并且形成在所述上屏蔽物的上側。
8、根據權利要求1所述的磁頭,
其中,所述電阻在分層方向上設置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物之間,并且
所述電磁波屏蔽層與構成所述讀取頭和所述寫入頭的磁層分開,并且形成在所述寫入頭的上側。
9、根據權利要求1所述的磁頭,
其中,所述電阻在分層方向上設置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物之間,并且
一對所述電磁波屏蔽層與構成所述讀取頭和所述寫入頭的磁層分開,并且形成在所述下屏蔽物和所述基板之間以及所述上屏蔽物的上側。
10、根據權利要求1所述的磁頭,
其中,所述電阻在分層方向上設置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物之間,并且
一對所述電磁波屏蔽層與構成所述讀取頭和所述寫入頭的磁層分開,并且形成在所述下屏蔽物和所述基板之間以及所述寫入頭的上側。
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