[發明專利]包括可變電阻材料的非易失存儲器件有效
| 申請號： | 200610142401.6 | 申請日： | 2006-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN101064359A | 公開（公告）日： | 2007-10-31 |
| 發明（設計）人： | 趙重來;李殷洪;埃爾·M·布里姆;文昌郁 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/10;H01L27/115;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包括 可變 電阻 材料 非易失 存儲 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種包括可變電阻材料的非易失存儲器件，所述非易失存儲器件包 括：
下電極；
在所述下電極上形成的第一氧化物層，所述第一氧化物層由n型氧化物 組成；
第二氧化物層，其在所述第一氧化物層上形成且由p型氧化物組成，且 具有可變電阻特性；
緩沖層，其形成于所述第二氧化物層上且由p型氧化物組成，用以在與 所述第二氧化物層的界面處形成歐姆接觸；以及
上電極，其形成于所述緩沖層上且由選自Ni、Co、Cr、W、Cu或這些 材料的合金的一種材料組成。
2.根據權利要求1所述的非易失存儲器件，其中所述第二氧化物層由p 型過渡金屬氧化物組成。
3.根據權利要求2所述的非易失存儲器件，其中所述p型過渡金屬氧 化物為Ni氧化物。
4.根據權利要求1所述的非易失存儲器件，其中用于所述緩沖層的所 述p型氧化物包括選自NiO(1+x)、以及用Li、Na、La摻雜的NiO、和Cu缺 乏的Cu氧化物的至少一種材料，其中0＜x＜1。
5.根據權利要求1所述的非易失存儲器件，其中所述n型氧化物為Ru 氧化物或Zn氧化物。
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