[發(fā)明專利]低飄移電壓運算放大器及其降低飄移電壓的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610141887.1
• 申請日: 2006-09-30
• 公開（公告）號: CN101154927A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳怡成
• 申請（專利權(quán)）人: 義隆電子股份有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03F1/30
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種低飄移電壓運算放大器，其特征在于包括：

一鏡射電路，具有一參考分支與一鏡射分支；

一第一電流源，耦接至該參考分支，該第一電流源用以產(chǎn)生一第一電流；

一第二電流源，耦接至該鏡射分支，該第二電流源用以產(chǎn)生一第二電流；

一MOS電容，用以儲存一飄移消減電壓，該飄移消減電壓用來提供給該第二電流源調(diào)整該第二電流的大小，以降低該運算放大器的飄移電壓；以及

一差動輸入對，用以接受一對差動輸入，據(jù)以引發(fā)該鏡射電路在該參考分支與該鏡射分支之間的電流不平衡，進而決定該運算放大器的輸出電流。

2.如權(quán)利要求1所述的運算放大器，其特征在于，其中該第二電流源包括一晶體管，用以產(chǎn)生該第二電流，該晶體管具有一柵極耦接該MOS電容，因而讓該飄移消減電壓調(diào)整其偏壓；該運算放大器還包括一開關(guān)，連接在該晶體管的柵漏極之間，在一正常模式下，該開關(guān)截止；在一儲存模式下，該開關(guān)導(dǎo)通。

3.如權(quán)利要求1所述的運算放大器，其特征在于，其中該第二電流源包括一對晶體管，用以聯(lián)合產(chǎn)生該第二電流，其中的第一晶體管具有一柵極耦接該MOS電容，因而讓該飄移消減電壓調(diào)整其偏壓，其中的第二晶體管具有一柵極耦接與該飄移消減電壓無關(guān)的偏壓；該運算放大器還包括一開關(guān)，連接在該第一晶體管的柵漏極之間，在一正常模式下，該開關(guān)截止；在一儲存模式下，該開關(guān)導(dǎo)通。

4.如權(quán)利要求1所述的運算放大器，其特征在于，其中該差動輸入對包括一對NMOS晶體管，其柵極用來接受該對差動輸入；該MOS電容具有一第一端耦接至該第二電流源，以及一第二端用來耦接電源。

5.如權(quán)利要求1所述的運算放大器，其中該差動輸入對包括一對PMOS晶體管，其柵極用來接受該對差動輸入；該MOS電容具有一第一端耦接至該第二電流源，以及一第二端用來接地。

6.一種降低運算放大器中飄移電壓的方法，該運算放大器包含一對電流源分別耦接一鏡射電路的參考分支與鏡射分支，以及一差動輸入對耦接該鏡射電路，其特征在于，該方法包括下列步驟：

預(yù)先儲存一飄移消減電壓在一MOS電容上；以及

藉該飄移消減電壓的大小調(diào)整該對電流源其中之一產(chǎn)生的電流大小。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中藉該飄移消減電壓的大小調(diào)整該對電流源其中之一產(chǎn)生的電流大小的步驟包括下列步驟：

將該飄移消減電壓與一原來的偏壓結(jié)合施加到一晶體管的柵極上；以及導(dǎo)通該晶體管，以產(chǎn)生該電流。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，其中該預(yù)先儲存一飄移消減電壓在一MOS電容上的步驟包括下列步驟：

耦接該MOS電容的第一端至該晶體管的柵極，第二端至電源或接地；

將該晶體管的柵漏極短路；

浮接該運算放大器的輸出端；以及

施加一參考電壓至該差動輸入對。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中藉該飄移消減電壓的大小調(diào)整該對電流源其中之一產(chǎn)生的電流大小的步驟包括下列步驟：

將該飄移消減電壓與一第一電壓結(jié)合施加到一第一晶體管的柵極上；

將一與該飄移消減電壓無關(guān)的第二電壓施加到一第二晶體管的柵極上；以及

導(dǎo)通該二晶體管，以聯(lián)合產(chǎn)生該電流。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中該預(yù)先儲存一飄移消減電壓在一MOS電容上的步驟包括下列步驟：

耦接該MOS電容的第一端至該第一晶體管的柵極，第二端至電源或接地；

將該第一晶體管的柵漏極短路；

浮接該運算放大器的輸出端；以及

施加一參考電壓至該差動輸入對。