[發明專利]過電壓保護元件的材料、過電壓保護元件及其制造方法

無效

• 申請號: 200610141109.2
• 申請日: 2006-10-09
• 公開（公告）號: CN101162619A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 劉德邦;張琇云
• 申請（專利權）人: 佳邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01B1/00
• 分類號: H01B1/00;H01B1/14;H01C7/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方;王東

1.一種過電壓保護元件的材料，其包含：

一非導體粉末；

一金屬導體粉末；和

一黏結劑。

2.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述非導體粉末的粒徑在1到50μm之間。

3.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述金屬導體粉末的粒徑在0.01到5μm之間。

4.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述黏結劑包含一玻璃粉末。

5.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述黏結劑包含一聚合樹脂溶液。

6.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述黏結劑包含一玻璃粉末和一聚合樹脂溶液。

7.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述非導體粉末為一高熔點的碳化物。

8.根據權利要求7所述的過電壓保護元件的材料，其中所述高熔點的碳化物為碳化硅。

9.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述非導體粉末為一高熔點的氧化物。

10.根據權利要求9所述的過電壓保護元件的材料，其中所述高熔點的氧化物為氧化鋁。

11.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述非導體粉末為一高溫玻璃粉末。

12.根據權利要求11所述的過電壓保護元件的材料，其中所述高溫玻璃粉末為一碳化硅含量為90％以上的玻璃粉末。

13.根據權利要求1所述的過電壓保護元件的材料，其中所述金屬導體粉末選自下列金屬組成的群組，其混和物或其合金：鋁、金、鎳、銅、鉻、鐵、鋅、鈮、鉬、釕、鉛、銥、鈦、銀、鈀、鉑和鎢。

14.一種制造一過電壓保護元件的方法，其包含：

均勻混和一預定比例的一非導體粉末、一金屬導體粉末和一黏結劑以形成一材料膏；

在一襯底上印刷所述材料膏；和

將所述襯底進行一燒成處理以產生所述過電壓保護元件。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述在所述襯底上印刷所述材料膏的步驟包含：

在所述襯底上形成一第一電極和一第二電極；和

在所述襯底上印刷所述材料膏，所述材料膏部分地重迭在所述第一電極和所述第二電極上。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述在所述襯底上印刷所述材料膏的步驟包含：

在所述襯底上形成一第一電極；

將所述材料膏印刷在所述襯底上，所述材料膏部分地與所述第一電極重迭；和

在所述襯底上產生一第二電極，所述第二電極部分地與所述材料膏重迭。

17.根據權利要求14所述的方法，如果黏結劑為一玻璃粉末，那么其燒成處理在300到1200℃之間進行。

18.根據權利要求14所述的方法，如果黏結劑為一聚合樹脂溶液，那么其燒成處理在室溫到600℃之間進行。

19.根據權利要求14所述的方法，如果黏結劑為一玻璃粉末和一聚合樹脂溶液，那么其燒成處理在300到600℃之間進行。

20.一種過電壓保護元件，其包含：

一第一電極；

一第二電極；和

一多孔結構，其連接在所述第一電極和所述第二電極之間，其中所述多孔結構是

使用根據權利要求1到13中任一權利要求所述的過電壓保護元件的材料進行一燒成處理而產生。

21.根據權利要求20所述的過電壓保護元件，其中所述多孔結構的孔隙在10μm以下。

22.根據權利要求20所述的過電壓保護元件，其中所述多孔結構的孔隙占其體積的5％到90％之間。

23.根據權利要求20所述的過電壓保護元件，其進一步包括一襯底，其中所述第一電極和所述第二電極均附著在所述襯底上并相隔一間隙，并且所述多孔結構附著在部分所述第一電極和所述第二電極上方和所述間隙中。

24.根據權利要求20所述的過電壓保護元件，其進一步包括一襯底，其中所述第一電極附著在所述襯底上，所述多孔結構附著在所述襯底和所述第一電極上，且所述第二電極附著在所述襯底和所述多孔結構上方。