[發明專利]具有冷卻靶的濺射

無效

• 申請號: 200610140879.5
• 申請日: 2006-10-13
• 公開（公告）號: CN101070590A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 尤根·克萊波爾－黑塞;安克·赫爾米希;格爾德·奧蓋希;托馬斯·赫根曼
• 申請（專利權）人: 應用材料有限責任與兩合公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 北京華夏正合知識產權代理事務所
• 代理人: 孫征

1.一種通過濺射作為靶(2)的鍍膜材料對基體鍍膜的方法，其中，在濺射過程中，利用流經靶或靶區或穿過靶的冷卻介質使靶冷卻，其特征在于，用給水溫度和/或回水溫度低于5℃的冷卻介質沉積氧化物層。

2.一種通過濺射作為靶(2)的鍍膜材料對基體鍍膜的方法，其中，在濺射過程中，利用流經靶或靶區或穿過靶的冷卻介質使靶冷卻，其特征在于，用活性物質進行活性濺射，且冷卻介質具有低于5℃的給水溫度或/和回水溫度。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，冷卻介質具有低于0℃的給水溫度或/和回水溫度，優選低于-20℃，最好低于-100℃。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，冷卻介質是冷卻液體或冷卻氣體，特別是水、空氣、烴，特別是氟代烴、酒精和類似物或它們的混合物。

5.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在高真空中和/或使用磁控管濺射源，特別是使用平面磁控管濺射源和/或安裝有可移動磁組的磁控管濺射源實施本方法。

6.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用活性物質進行活性濺射，特別是用于濺射鍍膜材料的活性氣體。

7.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，沉積透明導電氧化物層，優選氧化錫和/或氧化鋅層，最好是氧化銦錫(ITO)層。

8.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用氧化物靶，特別是透明導電氧化物層靶，優選氧化錫和/或氧化鋅靶，好是氧化銦錫(ITO)靶。

9.一種用于通過濺射作為靶(2)的鍍膜材料對基體鍍膜，特別是用于完成根據權利要求1-8中任一項所描述的方法的設備，具有通過冷卻介質對靶直接或間接冷卻的冷卻裝置(4)，以及用于活性濺射的裝置，其特征在于，冷卻裝置包括一個冷卻單元，該冷卻單元被設置成使冷卻介質能夠被冷卻到低于5℃的給水溫度或/和回水溫度。

10.如權利要求9所述的設備，其特征在于，冷卻單元被設置成使冷卻介質具有低于0℃的給水溫度或/和回水溫度，優選低于-20℃，特別優選低于-100℃。

11.如權利要求9或10所述的設備，其特征在于，冷卻裝置被設置成使用冷卻液體或冷卻氣體，特別是水、空氣、烴，特別是氟代烴、酒精和類似物或它們的混合物作為冷卻介質。

12.如權利要求9所述的設備，其特征在于，冷卻裝置有一個用來對給水溫度或/和回水溫度進行開環和/或閉環控制的開環和/或閉環單元。

13.如權利要求9所述的設備，其特征在于，冷卻裝置由一個或多個彼此獨立的冷卻回路組成。