[發明專利]稀土復合離子注入發光材料制備方法無效
| 申請號： | 200610140645.0 | 申請日： | 2006-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN101153217A | 公開（公告）日： | 2008-04-02 |
| 發明（設計）人： | 張建國;王曉欣;成步文;余金中;王啟明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C09K11/77 | 分類號： | C09K11/77 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 稀土 復合 離子 注入 發光 材料 制備 方法 | ||
1.一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步驟：
步驟1：取一襯底；
步驟2：在該襯底上注入稀土離子的復合離子；
步驟3：退火，完成發光材料的制備。
2.根據權利要求1所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中該襯底為體材料或體材料上的薄膜或量子異質結構。
3.根據權利要求2所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中該量子異質結構包括量子阱、量子線、量子點中至少一種。
4.根據權利要求1或2所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中該襯底為半導體材料或為絕緣體材料。
5.根據權利要求1所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中稀土離子包括所有16種稀土材料，它們是釔、鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥或它們的組合。
6.根據權利要求1所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中復合離子中除稀土離子之外的雜質離子包括氮、氧、氟、磷、硫、氯或它們的組合。
7.根據權利要求1所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中復合離子注入時，復合離子的表示式為(RExRy)m+/-，其中RE代表稀土，R代表其它元素，包括氮、氧、氟、磷、硫、氯或它們的組合，x，y可分別取為1，1.5，2，2.5，3，m可取為1，2，3，4，5。
8.根據權利要求1所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中離子注入時，離子源采用稀土化合物起弧，或采用稀土單質在相應的包含有雜質離子的其他化合物中起弧。
9.根據權利要求1所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中離子注入時的溫度設定為零下200℃到800℃之間任意溫度。
10.根據權利要求1所述的一種稀土復合離子注入制備發光材料的方法，其特征在于，其中所述的退火的溫度為200℃到1000℃之間任意溫度。
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