[發(fā)明專利]一種不對稱肖特基勢壘MOS晶體管及其制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610140390.8 | 申請日： | 2006-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN1964072A | 公開（公告）日： | 2007-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫雷;李定宇;張盛東;吳濤;韓汝琦;劉曉彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人： | 邵可聲 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 不對稱 肖特基勢壘 mos 晶體管 及其 制作方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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