[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管元件無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610140330.6 | 申請(qǐng)日: | 2006-11-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101192638A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伍永安;閆向陽(yáng);趙芳 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 山西樂(lè)百利特科技有限責(zé)任公司;晉城市環(huán)球利特光電技術(shù)有限公司;杰西科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 048026山*** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 元件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二級(jí)管(light-emitting?diode,LED)元件,尤其是一種大功率的發(fā)光二極管元件。
背景技術(shù)
隨著發(fā)光二級(jí)管(light-emitting?diode,LED)亮度的增加和制造成本的降低,大功率LED在各種照明領(lǐng)域的使用越來(lái)越多。并且LED的使用,會(huì)對(duì)國(guó)家的能源策略和環(huán)保策略產(chǎn)生積極的影響。目前不同的LED可以發(fā)出從紅外到藍(lán)之間不同波長(zhǎng)的光線,而且現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)出了紫色乃至紫外光的發(fā)光二極管。并且還有在藍(lán)光LED上涂上熒光粉,將藍(lán)光轉(zhuǎn)化成白光的白光LED。
因?yàn)榇蠊β实腖ED體積很小,因此可以進(jìn)行平面封裝,或根據(jù)使用環(huán)境或狀況使用多顆或進(jìn)行多種組合,并且具有發(fā)熱量低,發(fā)光壽命長(zhǎng)(5萬(wàn)個(gè)小時(shí)以上)、不易破和耐震與耐沖擊的優(yōu)點(diǎn),所以可在惡劣的情況下進(jìn)行使用。因?yàn)榘坠釲ED具有發(fā)光效率高、省電、無(wú)熱輻射、不含水銀等重金屬、無(wú)污染及廢棄物處理問(wèn)題等許多的優(yōu)點(diǎn),被視為“綠色照明光源”,很可能取代現(xiàn)在照明市場(chǎng)的主流白熾燈泡及熒(日)光燈。
大功率LED的技術(shù)關(guān)鍵是要解決好燈體的散熱問(wèn)題,不同于白熾燈泡,LED的輸入功率散耗的大部分(50%至90%)轉(zhuǎn)化成為芯片上的熱能。不同于白熾燈絲工作于數(shù)千攝氏度,LED芯片只能工作于較低的溫度(-40℃至約125℃或小于200℃),因?yàn)殡姽廪D(zhuǎn)化效率和可靠性隨著工作溫度的升高而降低,所以燈體和芯片的散熱降溫就成了制約大功率LED產(chǎn)品的最大瓶頸。
另外,熒光粉的添加也會(huì)對(duì)顏色轉(zhuǎn)換產(chǎn)生影響,而影響LED的顏色均勻與較短分布。
如圖1和圖2所示,為現(xiàn)有的兩種大功率白光LED的機(jī)構(gòu)示意圖。LED芯片20先置于底座21上,圖1中熒光粉22撒于LED芯片20之上,圖2中熒光粉22成薄膜狀包于LED芯20片之上,然后用環(huán)氧樹(shù)脂,水玻璃或者硅膠23置于其上。這兩種方法中熒光粉22都直接和LED芯片20緊密相鄰。由于工作時(shí)LED芯片20發(fā)熱產(chǎn)生高溫,導(dǎo)致熒光粉22持續(xù)高溫加速老化,會(huì)使LED的壽命大大縮短。圖1中熒光粉2?2的多寡及其不規(guī)則形狀也會(huì)使白光LED的發(fā)光顏色及角度分布不均。圖2中熒光粉22成薄膜狀包于LED芯片20之上,會(huì)阻礙導(dǎo)線在LED芯片20上的焊接。圖1和2中熒光粉22的加法均會(huì)對(duì)高功率三維光子晶體型的LED芯片產(chǎn)生不利影響。
因此這兩種結(jié)構(gòu)的體積大,制造過(guò)程復(fù)雜,成本高,芯片散熱性能也不好。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有的LED元件的缺點(diǎn),提供一種LED元件,體積小、成本低而且散熱性能好。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種發(fā)光二級(jí)管元件,包括:
底座;
發(fā)光二級(jí)管芯片,置于所述底座上;
熒光粉層,與所述發(fā)光二級(jí)管芯片相接設(shè)。
所述熒光粉層為熒光粉與環(huán)氧樹(shù)脂、水玻璃或硅膠調(diào)和成的液體層。所述熒光粉層為固態(tài)或膠態(tài)薄膜。所述熒光粉層通過(guò)覆蓋層與所述發(fā)光二級(jí)管芯片相接設(shè)。所述覆蓋層的材質(zhì)為環(huán)氧樹(shù)脂、水玻璃或硅膠。
所述熒光粉層為凸形,用于取光。所述熒光粉層外具有透鏡。熒光粉層外具有保護(hù)和取光層。所述保護(hù)和取光層的材質(zhì)為環(huán)氧樹(shù)脂、水玻璃或硅膠。所述底座具有側(cè)壁。所述底座的側(cè)壁為垂直側(cè)壁或傾斜側(cè)壁。
因此本發(fā)明的LED元件具有良好的散熱性、可靠性并且制造過(guò)程簡(jiǎn)單化,成本低。
下面通過(guò)附圖和實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
附圖說(shuō)明
圖1為現(xiàn)有的LED元件的結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖2為現(xiàn)有的LED元件的結(jié)構(gòu)示意圖之二;
圖3為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖4為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖之二;
圖5為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例1的切割時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖7為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖之二;
圖8為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖9為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖之二;
圖10為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例4的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖11為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖12為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例6的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖13為本發(fā)明LED元件的實(shí)施例7的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





