[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610139632.1
• 申請(qǐng)日: 2006-09-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101150156A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝育仁;范軒誠(chéng);許政義;黃崇桂;林錦源
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種發(fā)光元件，包括：

透明基板；

第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層形成于該透明基板上；

活性層形成于該第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層上；

第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層形成于該活性層上；

接觸層形成于該第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層上，并與該第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層形成歐姆接觸；以及

電極具有多個(gè)微凸塊，形成于該接觸層上，用以于該發(fā)光元件經(jīng)由該多個(gè)微凸塊接合于基座上時(shí)，該多個(gè)微凸塊提供多個(gè)電流通道。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)微凸塊的厚度介于0.3～20微米。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)微凸塊的形狀包括圓形、長(zhǎng)條形、多邊形、或其組合。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件還包括基座，且該電極的該多個(gè)微凸塊以熱音波接合方式接合于該基座上。

5.一種發(fā)光元件，包括：

發(fā)光二極管包括至少一電極；

基座包括至少一接合墊；以及

多個(gè)微凸塊介于該電極及該接合墊之間，用以于該發(fā)光二極管經(jīng)由該多個(gè)微凸塊接合于該基座上時(shí)，該多個(gè)微凸塊提供多個(gè)電流通道。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)微凸塊為一體成形于該電極或該接合墊上。

7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)微凸塊的厚度介于0.3～20微米。

8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)微凸塊的形狀包括圓形、長(zhǎng)條形、多邊形、或其組合。

9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)微凸塊的材料包括至少一種材料選自于金、銀、鋁、及銅所構(gòu)成的材料群組。

10.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光二極管還包括：

透明基板；

第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層形成于該透明基板上；

活性層形成于該第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層上，用以在偏壓下發(fā)出光線；

第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層，形成于該活性層上；以及

接觸層，形成于該第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層上，并與該第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)層形成歐姆接觸，

其中，該電極形成于該接觸層上。

11.一種發(fā)光元件的制造方法，包括以下步驟：

提供發(fā)光二極管包括透明基板及至少一電極；

提供基座包括至少一接合墊；以及

形成多個(gè)微凸塊于該電極或該接合墊上。

12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，還包括

倒裝芯片接合該發(fā)光二極管至該基座。

13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中該倒裝芯片接合方式包括熱音波接合。

14.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中該多個(gè)微凸塊為一體成形于該電極或該接合墊上。

15.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中該多個(gè)微凸塊的厚度介于0.3～20微米。

16.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中該多個(gè)微凸塊包括圓形、長(zhǎng)條形、多邊形、或其組合。

17.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中該多個(gè)微凸塊的材料包括至少一種材料選自于金、銀、鋁、及銅所構(gòu)成的材料群組。