[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片及其封裝結(jié)構(gòu)與制法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610139287.1
• 申請日: 2006-09-20
• 公開（公告）號(hào): CN101150143A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃文宏;曾文聰;林長甫;蔡和易;蕭承旭
• 申請（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/30;H01L23/00;H01L21/50
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 程偉

1.一種半導(dǎo)體芯片，包括：

芯片本體，該芯片本體具有一主動(dòng)面及一相對的非主動(dòng)面；以及

粗糙化結(jié)構(gòu)，形成于該非主動(dòng)面的外圍，從而將該非主動(dòng)面劃分為未予粗糙化的中央部分，以及形成有粗糙化結(jié)構(gòu)的外圍部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)主要是設(shè)于該半導(dǎo)體芯片的非作用表面角端處。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)的范圍是至少為三分之一的半導(dǎo)體芯片角端至半導(dǎo)體芯片中心距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)是利用波長小于0.5微米的雷射、電漿及化學(xué)蝕刻的其中一方式形成，且該粗糙化結(jié)構(gòu)的深度以0.5至5微米為宜，其中又以2微米為佳。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)是形成于該非主動(dòng)面的四角端且未相互連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)是形成于該非主動(dòng)面的四角端且相互連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，該半導(dǎo)體芯片是先經(jīng)拋光處理以強(qiáng)化表面強(qiáng)度，再于該非主動(dòng)面的角端進(jìn)行粗糙化處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，該非主動(dòng)面上未形成有粗糙化結(jié)構(gòu)之中央部分形狀是可為圓形、矩形及多邊形的其中之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)的范圍至少為自半導(dǎo)體芯片角端到半導(dǎo)體芯片中心距離的三分之一，且可環(huán)繞該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面邊緣。

10.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

芯片承載件；

半導(dǎo)體芯片，具有一主動(dòng)面及相對的非主動(dòng)面，該半導(dǎo)體芯片是以其主動(dòng)面通過多導(dǎo)電凸塊而接置于該芯片承載件上，且該非主動(dòng)面的外圍形成有粗糙化結(jié)構(gòu)，從而將該非主動(dòng)面劃分為未予粗糙化的中央部分，以及形成有粗糙化結(jié)構(gòu)的外圍部分；以及

封裝膠體，形成于該芯片承載件上用以包覆該半導(dǎo)體芯片。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)主要是設(shè)于該半導(dǎo)體芯片的角端處。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)的范圍是至少為三分之一的半導(dǎo)體芯片角端至半導(dǎo)體芯片中心距離。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)是利用波長小于0.5微米的雷射、電漿及化學(xué)蝕刻的其中一方式形成，且該粗糙化結(jié)構(gòu)的深度以0.5至5微米為宜，其中又以2微米為佳。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)是形成于該非主動(dòng)面的四角端且未相互連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)是形成于該非主動(dòng)面的四角端且相互連接。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該半導(dǎo)體芯片是先經(jīng)拋光處理以強(qiáng)化表面強(qiáng)度，再于該非主動(dòng)面的角端進(jìn)行粗糙化處理。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該芯片承載件為球柵陣列式基底及導(dǎo)線架的其中之一。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面上未形成有粗糙化結(jié)構(gòu)的中央部分形狀是可為圓形、矩形及多邊形的其中之一。

19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)的范圍至少為自半導(dǎo)體芯片角端到半導(dǎo)體芯片中心距離的三分之一，且可環(huán)繞該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面邊緣。

20.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括：

提供一半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一主動(dòng)面及相對的非主動(dòng)面，以于該非主動(dòng)面的外圍進(jìn)行粗糙化，從而將該非主動(dòng)面劃分為未予粗糙化的中央部分及形成有粗糙化結(jié)構(gòu)的外圍部分；

將該半導(dǎo)體芯片主動(dòng)面通過多導(dǎo)電凸塊接置于一芯片承載件上；以及

于該芯片承載件上形成一包覆該半導(dǎo)體芯片的封裝膠體。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中，該粗糙化結(jié)構(gòu)主要是設(shè)于該半導(dǎo)體芯片的角端處。