[發明專利]缺陷密度低，空位占優勢的硅無效
| 申請號： | 200610139269.3 | 申請日： | 1998-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN1936113A | 公開（公告）日： | 2007-03-28 |
| 發明（設計）人： | R·法爾斯特;S·A·馬克格拉夫;S·A·麥克奎德;J·C·霍爾澤;P·穆提;B·K·約翰遜 | 申請（專利權）人： | MEMC電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 馬江立;吳鵬 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 缺陷 密度 空位 占優勢 | ||
【權利要求書】：
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