[發明專利]一種含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法

無效

• 申請號: 200610139181.1
• 申請日: 2006-10-16
• 公開（公告）號: CN101164994A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 李榕生;水淼;王霞;宋岳
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;C04B35/565;C04B35/80
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，該制造方法的主要原料是碳化硅粉、燒結助劑、增韌料以及結合劑，經混合、成型、固化、高溫燒結等主要工藝步驟，形成碳化硅陶瓷產品，原料中含有的增韌料是為增加碳化硅陶瓷的韌性而加入的物料，所述高溫燒結工藝步驟的燒結方式是無壓固相燒結或無壓液相燒結，其特征在于，所采用的增韌料是由棒狀氧化鋁顆粒以及片狀氧化鋁顆粒以及碳化硅晶片三種增韌物質組成，所述棒狀氧化鋁顆粒是顆粒形貌呈棒狀的氧化鋁粉，所述片狀氧化鋁顆粒是顆粒形貌呈片狀的氧化鋁粉，以及，每一種所述增韌物質的使用量(重量)與所述增韌料整體的使用量(重量)的比例值介于0.1與0.8之間。

2.根據權利要求1所述的含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，其特征在于，所述碳化硅陶瓷制造方法是采用氧化釔和氧化鋁作為燒結助劑的無壓液相燒結制造方法，以及，用作燒結助劑的那部分氧化鋁原料也是采用所述棒狀氧化鋁顆粒與所述片狀氧化鋁顆粒的組合，以及，每一種所述氧化鋁顆粒的使用量(重量)與兩種所述氧化鋁顆粒的總使用量(重量)的比例值介于0.1與0.9之間。

3.根據權利要求1所述的含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，其特征在于，該制造方法的原料中含有鎂元素。

4.根據權利要求1或3所述的含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，其特征在于，該制造方法的原料中含有鑭元素。

5.根據權利要求2所述的含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，其特征在于，原料混合工序包括以下工藝步驟：

a：將所述棒狀氧化鋁顆粒以及所述片狀氧化鋁顆粒與氧化釔混合，進行球磨，形成雙功能預制料，在所述雙功能預制料中，鋁元素與釔元素的混合摩爾比大于七比三。

b：將所述雙功能預制料與碳化硅粉以及碳化硅晶片以及結合劑等進行混合。

6.根據權利要求5所述的含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，其特征在于，在將所述雙功能預制料與碳化硅粉以及碳化硅晶片以及結合劑等進行混合的工藝步驟中，其混合方式是球磨方式。

7.根據權利要求5所述的含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，其特征在于，在將所述雙功能預制料與碳化硅粉以及碳化硅晶片以及結合劑等進行混合的工藝步驟中，其混合方式是加入液體形成漿狀物料，并對所述漿狀物料施加機械攪拌。

8.根據權利要求7所述的含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，其特征在于，對所述漿狀物料結合施加機械攪拌和超聲波。

9.根據權利要求1所述的含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷組合物制造方法，其特征在于，所述棒狀氧化鋁顆粒的長徑比分布在3與5之間，所述棒狀氧化鋁顆粒的徑向寬度分布在0.1微米與0.8微米之間，所述片狀氧化鋁顆粒的板片寬度介于0.3微米與6.0微米之間，所述片狀氧化鋁顆粒的板片寬度與板片厚度之比介于3與10之間。