[發(fā)明專利]半橋共振轉(zhuǎn)換器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610137904.4
• 申請日: 2006-10-30
• 公開（公告）號: CN101174795A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 黃明和
• 申請（專利權(quán)）人: 高效電子股份有限公司
• 主分類號: H02M3/28
• 分類號: H02M3/28;H02M3/335
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1.一種半橋共振轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包含：

一次側(cè)繞組；

二次側(cè)繞組，具有第一與第二端點以及一中央端點；

一第一電子開關(guān)，具有第一及第二端點，前述第一端點與前述二次側(cè)繞組的第一端點連接；

一第二電子開關(guān)，具有第一及第二端點，前述第一端點與前述二次側(cè)繞組的第二端點連接；

一第一儲能組件，具有第一及第二端點，前述第一端點與前述第一電子開關(guān)的第二端點連接；

一第二儲能組件，具有第一及第二端點，前述第一端點與前述第二電子開關(guān)的第二端點連接；以及

一負載端，具有第一及第二端點，前述第一端點同時與前述第一儲能組件的第二端點及第二儲能組件的第二端點連接，前述第二端點與前述二次側(cè)繞組的中央端點連接。

2.如權(quán)利要求1項的半橋共振轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其中前述第一電子開關(guān)與前述第二電子開關(guān)的作動關(guān)系為反向，致使前述二次側(cè)繞組的第一端點或第二端點與前述負載端導通。

3.如權(quán)利要求1項的半橋共振轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其中前述第一電子開關(guān)包含一MOSFET功率晶體管以及一跨接于前述MOSFET功率晶體管的柵極(G)及源極(S)的第三繞組，并且第一電子開關(guān)的第一端點是為MOSFET功率晶體管的源極(S)，以及第二端點是為MOSFET功率晶體管的漏極(D)。

4.如權(quán)利要求1項的半橋共振轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其中前述第二電子開關(guān)包含一MOSFET功率晶體管以及一跨接于前述MOSFET功率晶體管的柵極(G)及源極(S)的第三繞組，并且第二電子開關(guān)的第一端點是為MOSFET功率晶體管的源極(S)，以及第二端點是為MOSFET功率晶體管的漏極(D)。

5.如權(quán)利要求3項或第4項的半橋共振轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其中前述第一電子開關(guān)的第三繞組與前述第二電子開關(guān)的第三繞組為具有相同圈數(shù)的相同繞組。

6.如權(quán)利要求1項的半橋共振轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其中前述第一儲能組件由一電感并聯(lián)一二極管與一電阻串聯(lián)的組合，使前述電感可經(jīng)由前述二極管與電阻串聯(lián)的組合進行釋能，并且第一儲能組件的第一端點是為前述二極管的正極端，第一儲能組件的第二端點是為前述電阻與前述電感結(jié)合的端點。

7.如權(quán)利要求1項的半橋共振轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其中前述第二儲能組件由一電感并聯(lián)一二極管與一電阻串聯(lián)的組合，使前述電感可經(jīng)由前述二極管與電阻串聯(lián)的組合進行釋能，并且第二儲能組件的第一端點是為前述二極管的正極端，第二儲能組件的第二端點是為前述電阻與前述電感結(jié)合的端點。