[發明專利]具有電容器的半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 200610137622.4
• 申請日: 2006-10-31
• 公開（公告）號: CN101174588A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 李相道;羅善雄;李東烈;崔東求
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括以不同程度相互分離形成的位線和電容器；

在位線上形成第一、第二和第三絕緣層，第二絕緣層為第一蝕刻停止層；

在電容器頂電極上形成第二蝕刻停止層；

在第三絕緣層和第二蝕刻停止層上形成第四絕緣層；和

實施多個蝕刻步驟來暴露位線上表面和電容器上表面。

2.權利要求1的方法，其中實施多個蝕刻步驟包括：

實施蝕刻第四絕緣層的第一蝕刻步驟，第一蝕刻步驟暴露部分第二蝕刻停止層和部分第三絕緣層；

實施蝕刻第三絕緣層暴露部分的第二蝕刻步驟，第二蝕刻步驟暴露部分第一蝕刻停止層；

實施蝕刻第一蝕刻停止層暴露部分的第三蝕刻步驟，第三蝕刻步驟暴露位線上表面；和

實施蝕刻第二蝕刻停止層暴露部分的第四蝕刻步驟，直至暴露電容器上表面。

3.權利要求2的方法，其中四個蝕刻步驟使用同一蝕刻掩模來實施。

4.權利要求1的方法，其中多個蝕刻步驟使用同一蝕刻掩模來實施。

5.權利要求1的方法，其中第二蝕刻停止層包括選自無定形硅層、非導電多晶硅層和導電鍺化硅層的層。

6.權利要求2的方法，其中第一、第三和第四絕緣層各自包括氧化物基材料，其中至少一個蝕刻步驟使用C₄F₈、CH₂F₂、O₂和Ar的混合氣體。

7.權利要求1的方法，其中電容器的上表面包括氮化鈦(TiN)，其中使用Cl₂和O₂的混合氣體蝕刻第二蝕刻停止層。

8.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括以不同程度相互分離形成的位線和電容器，

其中在位線上形成第一、第二和第三絕緣層，第二絕緣層為第一蝕刻停止層；

在電容器頂電極上形成第二蝕刻停止層；

在第三絕緣層和第二蝕刻停止層上形成第四絕緣層；

蝕刻第四絕緣層以暴露部分第二蝕刻停止層和部分第三絕緣層；

蝕刻第三絕緣層直至暴露第一蝕刻停止層；

使用對第二蝕刻停止層具有高選擇性的蝕刻氣體來蝕刻第一蝕刻停止層和第一絕緣層，直至暴露位線上表面；和

使用對頂電極具有高選擇性的蝕刻氣體來蝕刻第二蝕刻停止層，直至暴露頂電極。

9.權利要求8的方法，其中第二蝕刻停止層包括選自無定形硅層、非導電多晶硅層和導電鍺化硅層的層。

10.權利要求9的方法，其中第一、第三和第四絕緣層都包括氧化物基材料。

11.權利要求10的方法，其中蝕刻第四絕緣層和蝕刻第一絕緣層都使用C₄F₈、CH₂F₂、O₂和Ar的混合氣體。

12.權利要求11的方法，其中蝕刻第四絕緣層包括以約30％或更高的過蝕刻比率來過蝕刻第四絕緣層。

13.權利要求10的方法，其中第一蝕刻停止層包括氮化物基材料。

14.權利要求13的方法，其中蝕刻第三絕緣層使用C₄F₆、O₂和Ar的混合氣體。

15.權利要求9的方法，其中頂電極包括TiN。

16.權利要求15的方法，其中蝕刻第二蝕刻停止層包括使用Cl₂和O₂的混合氣體。

17.權利要求16的方法，其中蝕刻第四絕緣層、蝕刻第三絕緣層、蝕刻第一絕緣層和蝕刻第二蝕刻停止層都使用同一掩模來進行。

18.權利要求16的方法，還包括在蝕刻第三絕緣層之后的清洗過程。