[發明專利]隔離結構的制造方法

無效

• 申請號: 200610136606.3
• 申請日: 2006-10-31
• 公開（公告）號: CN101174576A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 曾維中;魏鴻基;朱建隆
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種隔離結構的制造方法，包括：

提供基底，所述基底上設置有介電層與導體層，所述導體層位于所述介電層上，且所述導體層、介電層與基底中設置有多個隔離層；

移除部分所述隔離層，使所述隔離層的頂面低于所述導體層頂面但高于所述導體層底面；

于所述導體層側壁形成間隙壁；

以所述間隙壁為掩模，移除部分所述隔離層，形成隔離結構，所述隔離結構頂部具有凹陷，且所述隔離結構覆蓋住所述導體層與所述介電層交界的轉角處；以及

移除所述間隙壁。

2.如權利要求1的隔離結構的制造方法，其中所述凹陷為圓弧狀凹陷。

3.如權利要求1的隔離結構的制造方法，其中以所述間隙壁為掩模，移除部分所述隔離層的方法包括濕式蝕刻法。

4.如權利要求1的隔離結構的制造方法，其中移除所述間隙壁的方法包括干式蝕刻法或濕式蝕刻法。

5.如權利要求1的隔離結構的制造方法，其中所述間隙壁的形成方法包括：

于所述基底上形成間隙壁材料層；以及

移除部分所述間隙壁材料層，留下位于所述導體層側壁的間隙壁材料層。

6.如權利要求5的隔離結構的制造方法，其中移除部分所述間隙壁材料層的方法包括干式蝕刻法。

7.如權利要求1的隔離結構的制造方法，其中所述間隙壁的材質包括氮化硅。

8.如權利要求1的隔離結構的制造方法，其中所述隔離層的材質包括氧化硅。

9.如權利要求1的隔離結構的制造方法，其中所述導體層的材質包括摻雜多晶硅。

10.如權利要求1的隔離結構的制造方法，適用于非易失性存儲器的工藝，其中所述導體層為所述非易失性存儲器的浮置柵極。

11.一種隔離結構的制造方法，包括：

提供基底，所述基底上設置有介電層與導體層，所述導體層位于所述介電層上，且所述導體層、介電層與基底中設置有隔離層；

移除部分所述隔離層，使所述隔離層的頂面低于所述導體層頂面但高于所述導體層底面；

于所述基底上形成間隙壁材料層；

移除部分所述間隙壁材料層，形成位于所述導體層側壁的間隙壁；以及

至少移除部分所述隔離層，形成隔離結構，所述隔離結構頂部具有凹陷，且所述隔離結構覆蓋住所述導體層與所述介電層交界的轉角處。

12.如權利要求11的隔離結構的制造方法，其中所述凹陷為圓弧狀凹陷。

13.如權利要求11的隔離結構的制造方法，其中所述間隙壁與所述隔離層具有不同的蝕刻選擇比。

14.如權利要求13的隔離結構的制造方法，還包括以所述間隙壁為掩模，移除部分所述隔離層。

15.如權利要求14的隔離結構的制造方法，其中以所述間隙壁為掩模，移除部分所述隔離層的方法包括濕式蝕刻法。

16.如權利要求14的隔離結構的制造方法，還包括于形成所述隔離結構之后，移除所述間隙壁。

17.如權利要求13的隔離結構的制造方法，其中所述間隙壁的材質包括氮化硅。

18.如權利要求11的隔離結構的制造方法，其中所述間隙壁與所述隔離層具有約略相同的蝕刻選擇比。

19.如權利要求18的隔離結構的制造方法，還包括于形成所述隔離結構的步驟中，同時移除所述間隙壁與部分所述隔離層。

20.如權利要求19的隔離結構的制造方法，其中同時移除所述間隙壁與部分所述隔離層的方法包括濕式蝕刻法。

21.如權利要求18的隔離結構的制造方法，其中形成所述間隙壁材料層的方法包括以四乙基硅酸酯為氣體源，進行化學氣相沉積法。

22.如權利要求11的隔離結構的制造方法，其中移除部分所述間隙壁材料層，形成所述間隙壁的方法包括干式蝕刻法。

23.如權利要求11的隔離結構的制造方法，其中所述隔離層的材質包括氧化硅。