[發(fā)明專利]制作可平衡氣體壓力的流道的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610136600.6
• 申請(qǐng)日: 2006-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101172572A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張宏達(dá)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 探微科技股份有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種可平衡氣體壓力的流道的制作方法，尤指一種可避免晶片在進(jìn)行雙面工藝時(shí)因壓力差而受損的方法。

背景技術(shù)

相較于半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，微機(jī)電元件由于兼具電子與機(jī)械雙重特性，因此其結(jié)構(gòu)往往較復(fù)雜，而需利用雙面工藝加以制作。在現(xiàn)行制作微機(jī)電元件的工藝中，例如制作微感測(cè)器、微致動(dòng)器與微鏡面結(jié)構(gòu)等工藝中，必須先對(duì)晶片的正面進(jìn)行正面工藝以制作出腔體，接下來(lái)將晶片的正面貼附于承載晶片，再對(duì)晶片的背面進(jìn)行背面工藝。然而，當(dāng)晶片的正面貼附于承載晶片時(shí)，晶片正面的腔體會(huì)被承載晶片與粘著層封閉而形成密閉空間?，F(xiàn)行工藝往往在真空狀態(tài)下進(jìn)行，在此狀況下當(dāng)晶片進(jìn)行背面工藝時(shí)由于腔體內(nèi)的壓力與工藝環(huán)境的壓力差，容易使微機(jī)電結(jié)構(gòu)破裂，特別是在使用薄晶片的狀況下，此問(wèn)題更顯得嚴(yán)重而待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的之一在于提供一種制作可平衡氣體壓力的流道的方法，以提升雙面工藝的成品率。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，提供一種制作可平衡氣體壓力的流道的方法。首先提供元件晶片，該元件晶片包含有一正面。接著對(duì)該元件晶片進(jìn)行正面工藝，該正面工藝包含在該元件晶片的該正面形成多個(gè)腔體，且所述腔體之間未互相導(dǎo)通。隨后在該元件晶片的該正面形成多條流道，且所述腔體通過(guò)所述流道而互相導(dǎo)通。接著提供承載晶片，并將該元件晶片的該正面貼附于該承載晶片上。該承載晶片覆蓋于該元件晶片的所述腔體上，且通過(guò)所述流道使所述腔體內(nèi)的壓力與所述腔體外的壓力達(dá)到平衡。

為了使能更近一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說(shuō)明

圖1至圖5為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的制作可平衡氣體壓力的流道的方法示意圖。

圖6至圖11為本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的制作可平衡氣體壓力的流道的方法示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

30元件晶片????????32正面

34腔體????????????36流道

40承載晶片????????42粘著層

50元件晶片????????52正面

54腔體????????????56犧牲層

58流道????????????60承載晶片

62粘著層

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參考圖1至圖5。圖1至圖5為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的制作可平衡氣體壓力的流道的方法示意圖，其中圖1與圖3為俯視圖，圖2、圖4與圖5為剖面示意圖。如圖1與圖2所示，首先提供元件晶片30，例如硅晶片，且元件晶片30包含有正面32。接著對(duì)元件晶片30進(jìn)行正面工藝，正面工藝依欲制作的微機(jī)電元件不同而可為各式半導(dǎo)體或微機(jī)電工藝，例如沉積、光刻、蝕刻與摻雜等工藝。在本實(shí)施例中，正面工藝包含有在元件晶片30的正面32形成多個(gè)腔體34，其中腔體34的制作可視腔體34的形狀與深寬比等而選用干式濕刻例如反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)，或是濕式蝕刻例如利用氫氧化鉀溶液或氫氧化四甲基銨(TMAH)溶液作為蝕刻液，且各腔體34之間未互相導(dǎo)通。

接著如圖3所示，進(jìn)行切割工藝，利用切割刀具噪元件晶片30的正面32形成多條流道36，其中流道36的深度小于腔體34的深度，其作用在于使腔體34之間互相導(dǎo)通，但不影響腔體34的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，流道36呈現(xiàn)縱向的條狀排列，但不限于此，在使腔體34可通過(guò)流道36與外界環(huán)境連通的前提下，流道36亦可為橫向的條狀排列、斜向的條狀排列或矩陣狀排列等。

如圖4所示，隨后提供承載晶片40，并在承載晶片40的表面形成粘著層42。粘著層42的材料可為光致抗蝕劑、苯環(huán)丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚酰亞胺(polyimide)、蠟、干膜、熱釋放膠帶(thermal?release?tape)或紫外線膠帶(UV?tape)等，或其它任何可在后續(xù)工藝輕易以蝕刻、加熱或光照等方式加以去除的材料。

如圖5所示，利用粘著層42將元件晶片30的正面32貼附于承載晶片40的表面，隨后再對(duì)元件晶片30進(jìn)行背面工藝，待背面工藝完畢后，再去除粘著層42。由于流道36的設(shè)置，使得承載晶片40覆蓋于元件晶片30的腔體34上時(shí)，腔體34會(huì)與外界環(huán)境流通而使得腔體34內(nèi)的壓力與腔體34外的壓力達(dá)到平衡而具有相同壓力。