[發(fā)明專利]存儲/再現(xiàn)機(jī)構(gòu)的控制裝置、控制方法及使用該方法的存儲裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610135777.4
• 申請日: 2006-10-19
• 公開（公告）號: CN101075471A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柿木格
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B21/21
• 分類號: G11B21/21;G11B5/60
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉;遲軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及對設(shè)置在磁盤裝置等中的存儲介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲和/或再現(xiàn)的機(jī)構(gòu)的控制裝置。

背景技術(shù)

通常，將磁盤裝置構(gòu)造成：由于使磁盤高速地旋轉(zhuǎn)所導(dǎo)致的氣流而使磁頭(擺臂)浮起約為0.01微米到0.02微米。

近來，由于磁盤的記錄表面的密度增大了，因此磁頭的漂浮(flying)高度逐漸降低。

因此，磁頭的漂浮高度現(xiàn)在變得更容易受到大氣壓、溫度或其他變化因素的變化的影響。例如，當(dāng)大氣壓升高時，磁頭的漂浮高度也升高，因此信號特性劣化了。當(dāng)大氣壓降低時，磁頭的漂浮高度響應(yīng)于此而降低，因此磁頭接觸并損壞磁盤的概率也變大了。

換句話說，存在如下問題：在磁盤上存儲和/或再現(xiàn)的信號的特性受到大氣壓、溫度或其他變化因素的變化的影響。

日本專利公報(bào)《特開昭63-069075號》公開了一種磁盤裝置，其增大了記錄表面密度，同時通過僅當(dāng)正在對數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲和/或再現(xiàn)處理時才降低磁頭的漂浮高度，來降低磁頭與磁盤之間發(fā)生碰撞的危險(xiǎn)。

日本專利公報(bào)《特開平06-236641號》公開了一種磁頭漂浮高度控制裝置，其通過實(shí)時地對讀/寫頭懸浮系統(tǒng)進(jìn)行動態(tài)調(diào)節(jié)來控制盤驅(qū)動機(jī)構(gòu)的頭的漂浮高度。

日本專利公報(bào)《特開2002-092810號》公開了一種磁盤裝置，其通過根據(jù)錯誤原因改變磁頭的漂浮高度來提高錯誤恢復(fù)率。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上問題提出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種用于存儲和/或再現(xiàn)機(jī)構(gòu)的控制裝置，其可以獲得不受大氣壓的變化的影響的恒定信號質(zhì)量。

為了實(shí)現(xiàn)以上目的，根據(jù)本發(fā)明的控制裝置是通過使盤形存儲介質(zhì)旋轉(zhuǎn)而使用于對所述存儲介質(zhì)上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲處理或再現(xiàn)處理的頭浮起的控制裝置，該控制裝置至少包括：錯誤檢測單元，用于從所述頭再現(xiàn)的數(shù)據(jù)中檢測錯誤；和漂浮高度控制單元，用于根據(jù)所計(jì)數(shù)的錯誤率對所述頭的漂浮高度進(jìn)行控制。

根據(jù)本發(fā)明，即使所述頭的漂浮高度由于大氣壓的變化而變化因而錯誤率發(fā)生變化，也可以根據(jù)由所述錯誤檢測單元計(jì)數(shù)的錯誤率對所述頭的漂浮高度進(jìn)行控制。因此，可以保持不受大氣壓的變化的影響的恒定漂浮高度，從而產(chǎn)生可以通過存儲和再現(xiàn)機(jī)構(gòu)來獲得恒定信號質(zhì)量的效果。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以為存儲和再現(xiàn)機(jī)構(gòu)提供一種控制裝置，該控制裝置可以獲得不受大氣壓的變化的影響的恒定信號質(zhì)量。

附圖說明

圖1對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制裝置的概要進(jìn)行了說明；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的結(jié)構(gòu)示例；

圖3對用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的漂浮高度控制的基準(zhǔn)錯誤率進(jìn)行了說明；

圖4對用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的漂浮高度控制的錯誤率與漂浮高度控制電流Ihr之間的關(guān)系進(jìn)行了說明；以及

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的漂浮高度的控制處理的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照圖1到5對本發(fā)明的多個實(shí)施例進(jìn)行說明。

圖1對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制裝置10的概要進(jìn)行了說明。

如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施例的控制裝置10至少包括：存儲介質(zhì)11，用于存儲數(shù)據(jù)；頭12，用于對存儲介質(zhì)11上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲/再現(xiàn)處理；錯誤檢測單元13，用于對由頭12讀取的數(shù)據(jù)的錯誤進(jìn)行計(jì)數(shù)；漂浮高度控制單元14，用于根據(jù)錯誤率對頭12的漂浮高度進(jìn)行控制。

存儲介質(zhì)11例如是在磁盤裝置中使用的存儲介質(zhì)的磁盤。

頭12對存儲介質(zhì)11中的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(寫)和再現(xiàn)(讀)處理，同時保持距存儲介質(zhì)11的比規(guī)定距離大的距離(漂浮高度)。例如，當(dāng)存儲介質(zhì)11是磁盤時，由于使存儲介質(zhì)11高速旋轉(zhuǎn)而導(dǎo)致的氣流，使頭12浮起比規(guī)定距離大的距離。

錯誤檢測單元13對由頭12再現(xiàn)的數(shù)據(jù)中的錯誤進(jìn)行計(jì)數(shù)。例如，錯誤檢測單元13通過根據(jù)分配給再現(xiàn)數(shù)據(jù)的ECC(錯誤校正碼)對數(shù)據(jù)中的錯誤進(jìn)行檢測，來對錯誤進(jìn)行計(jì)數(shù)。

漂浮高度控制單元14對由錯誤檢測單元13計(jì)數(shù)的錯誤率與作為基準(zhǔn)的預(yù)定錯誤率(以下稱為“基準(zhǔn)錯誤率”)進(jìn)行比較，并根據(jù)這兩者之差對頭12的漂浮高度進(jìn)行調(diào)節(jié)。

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置20的結(jié)構(gòu)示例。