[發明專利]氮化物半導體元件有效
| 申請號： | 200610132273.7 | 申請日： | 1999-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN1933200A | 公開（公告）日： | 2007-03-21 |
| 發明（設計）人： | 谷沢公二;三谷友次;中河義典;高木宏典;丸居宏充;福田芳克;池上武止 | 申請（專利權）人： | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 元件 | ||
【說明書】：
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