[發(fā)明專利]灰調(diào)掩模及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610132210.1 | 申請(qǐng)日： | 2002-06-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1940719A | 公開（公告）日： | 2007-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 野津手重德 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | HOYA株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G03F1/14 | 分類號(hào)： | G03F1/14;G03F7/09;G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 李輝 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 灰調(diào)掩模 及其 制造 方法 | ||
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- 專利分類
G03 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過(guò)電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過(guò)電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
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