[發明專利]具有GMR－篩網層的CPP－GMR磁頭

無效

• 申請號: 200610132031.8
• 申請日: 2006-10-19
• 公開（公告）號: CN101071574A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 星屋裕之;星野勝美;目黑賢一;佐藤陽;片田裕之
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39;H01F10/08;H01F10/26
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李濤;鐘強

1.一種磁阻讀磁頭，包括：

由軟磁性自由層、非磁性中間層以及GMR-篩網層構成的層狀結構，其中軟磁性自由層的磁化方向對應于外部磁場而變化，

其中所述GMR-篩網層由鐵磁性金屬層和氧化層的復合體構成，所述氧化層具有覆蓋所述鐵磁性金屬層的孔，在所述氧化層的孔中，中凸地填充所述鐵磁性金屬層，以及其中提供一種功能，該功能中通過部分地穿過所述孔部件，在薄膜厚度方向上的電流流動被限制，以及提供功能，該功能中對應于GMR-篩網層的磁化和所述軟磁性自由層的磁化之間的相對角差產生磁阻效應。

2.一種磁阻讀磁頭，包括：

磁阻膜，具有軟磁性自由層、非磁性中間層、GMR-篩網層、分離-耦合層、鐵磁性固定層，其中該軟磁性自由層的磁化方向對應于外部磁場而變化，GMR-篩網層由鐵磁性金屬層和氧化層的復合體構成，且在鐵磁性固定層中磁化方向被固定在一個方向上，

在所述磁阻膜的薄膜厚度方向上流動電流的一對電極，

其中所述GMR-篩網形成在所述鐵磁性固定層和所述非磁性中間層之間，以及所述GMR-篩網通過所述分離-耦合層與所述鐵磁性固定層磁性耦合。

3.根據權利要求2的磁阻讀磁頭，其中

所述氧化層用孔覆蓋所述鐵磁性金屬層，以及所述鐵磁性金屬層的部分通過所述氧化層的孔部分暴露給相鄰非磁性中間層。

4.根據權利要求2的磁阻讀磁頭，其中

所述氧化層用孔覆蓋所述鐵磁性金屬層，在所述氧化層的孔部分中，中凸地填充所述鐵磁性金屬層，以及所述鐵磁性金屬層通過所述氧化層的孔部分接觸相鄰非磁性中間層。

5.根據權利要求2的磁阻讀磁頭，其中

所述GMR-篩網層由Co、CoFe或Co合金及它們的氧化物的任意一種構成。

6.根據權利要求2的磁阻讀磁頭，其中

所述分離-耦合層是具有0.3至1.5nm厚度的Cu層。

7.根據權利要求2的磁阻讀磁頭，其中

通過所述GMR-篩網層，在存在所述氧化層的部分中和在所述氧化層的孔部分中，通過所述GMR-篩網層和所述軟磁性自由層層疊的所述鐵磁性固定層和非磁性中間層的晶粒結構或晶體優選取向是連續的。

8.根據權利要求2的磁阻讀磁頭，其中

所述GMR-篩網層的鐵磁性金屬層和氧化層都具有晶體結構，以及所述鐵磁性固定層、所述非磁性中間層以及所述軟磁性自由層的晶粒結構或晶體優選取向與所述GMR-篩網層連續。

9.一種磁阻性讀磁頭的制造方法，包括：

在襯底上依次形成底層、反鐵磁性膜、第一鐵磁性固定層、反平行耦合層、第二鐵磁性固定層、分離-耦合層以及前體鐵磁性金屬層的過程；

用于部分地氧化所述前體鐵磁性金屬層的過程；

用于在所述部分地氧化的前體鐵磁性金屬層上依次形成非磁性中間層和軟磁性自由層的過程；以及

此后，用于形成GMR-篩網層的過程，該GMR-篩網層具有這樣的結構，其中通過退火所述前體鐵磁性金屬層，氧化層具有覆蓋未-氧化層的孔。