[發(fā)明專(zhuān)利]擠壓件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610131830.3
• 申請(qǐng)日: 2002-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101126768A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹腰清;保坂久富;荻原順一;初鹿國(guó)彥;臼井孝公;金子尚史;早坂伸夫;井戶義幸
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社;IBIDEN股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R1/04
• 分類(lèi)號(hào): G01R1/04;G01R31/28;G01R31/26;H01L21/66
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 夏青

1.一種擠壓件，其特征在于，其具備接觸器、晶片固定裝置以及存放在該晶片固定裝置上的半導(dǎo)體晶片(W)，

上述接觸器具有耐熱片基以及在該耐熱片基上形成的導(dǎo)體電路，被用來(lái)在不低于160℃的溫度下執(zhí)行可靠性評(píng)估測(cè)試，上述耐熱片基的熱膨脹系數(shù)為1～50ppm/℃，

在使該接觸器的連接襯墊部分和半導(dǎo)體晶片的電極襯墊完全接觸的狀態(tài)下，將該晶片固定裝置、該半導(dǎo)體晶片及該接觸器組合成一體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓件，其特征在于：上述耐熱片基的熱膨脹系數(shù)為平面方向上的熱膨脹系數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓件，其特征在于：上述耐熱片基的熱膨脹系數(shù)為2～30ppm/℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓件，其特征在于：上述導(dǎo)體電路具有凸起。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的擠壓件，其特征在于：上述耐熱片基由從耐熱樹(shù)脂、金屬、半導(dǎo)體以及陶瓷中選擇的至少一種材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的擠壓件，其特征在于：上述耐熱片基的耐熱樹(shù)脂由聚酰亞胺、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂、具有浸漬了玻璃織物或碳纖維的加強(qiáng)材料的耐熱樹(shù)脂中的至少一種材料形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的擠壓件，其特征在于：上述耐熱片基的金屬由鋁、銅、不銹鋼、不脹鋼合金、不脹鋼中的至少一種材料形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的擠壓件，其特征在于：上述耐熱片基的陶瓷由氮化鋁、金剛砂中的至少一種材料形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的擠壓件，其特征在于：在除了執(zhí)行該可靠性評(píng)估測(cè)試時(shí)導(dǎo)通的部分之外的表面上設(shè)有絕緣涂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓件，其特征在于：上述耐熱片基上形成絕緣層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓件，其特征在于：上述耐熱片基上形成絕緣層，絕緣層中使用氧化硅膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓件，其特征在于：還在該接觸器的接觸襯墊與電極襯墊之間夾著各向異性導(dǎo)電膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓件，其特征在于：該晶片固定裝置包括磁力材料。