[發(fā)明專利]濺射靶及其制造方法、以及光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610130966.2
• 申請(qǐng)日: 2006-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN101191194A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三浦裕司;林嘉隆;笹登;藤井俊茂;藤原將行;山田勝幸;鳴海慎也;加藤將紀(jì)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社理光
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C23C14/06;C23C14/35;B22F3/00;G11B7/242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 宋莉

1.一種濺射靶，包括：

Bi和Fe，

其中該濺射靶的堆積密度高于96％，且

其中該濺射靶用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括Bi、Fe和O，且該濺射靶的堆積密度高于96％。

3.一種濺射靶，包括：

Bi和Fe，

其中該濺射靶的電阻率是10Ωcm或更小，且

其中該濺射靶用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括Bi、Fe和O，并且還包括賦予導(dǎo)電性的物質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括與化學(xué)計(jì)量組成相比氧減少的化合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中在除了氧之外的元素中，Bi的比例是28原子％或更高。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括均處于金屬態(tài)的Bi和Fe中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括碳。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括In、Zn和Sn中至少一種的氧化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括除了Bi和Fe之外的至少一種金屬。

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括B、Si、Ge、稀土元素、及其氧化物中的至少一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中堆積密度高于96％。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括允許磁通量從靶表面?zhèn)刃孤┑男螤睢⒔Y(jié)構(gòu)和組成中的至少一種，且其中可應(yīng)用磁控濺射。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括非鐵磁性化合物。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射靶，其中Fe以三元化合物BiFeO的形式被包含。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射靶，其中Fe以α-Fe₂O₃的形式被包含。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括允許磁通量從靶表面?zhèn)刃孤┑男螤睢?/p>

18.一種借助于燒結(jié)方法來制造濺射靶的方法，

其中該濺射靶用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層且包括Bi和Fe，該濺射靶的堆積密度高于96％。

19.一種可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，包括

含Bi和Fe的記錄層，

其中利用濺射靶來沉積記錄層，其中濺射靶包括Bi和Fe，且該濺射靶的堆積密度高于96％。

20.一種可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，包括

含Bi、Fe和O的記錄層，

其中利用濺射靶來沉積記錄層，其中濺射靶包括Bi、Fe和O，且該濺射靶的堆積密度高于96％。

21.一種制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，包括

利用濺射靶來沉積含Bi和Fe的記錄層，

其中該濺射靶包括Bi和Fe，且該濺射靶的堆積密度高于96％。

22.一種制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，包括

利用濺射靶來沉積含Bi、Fe和O的記錄層，

其中該濺射靶包括Bi、Fe和O，且該濺射靶的堆積密度高于96％。

23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中通過直流電濺射來實(shí)施記錄層的沉積。