[發明專利]復合式化學機械研磨法與淺溝槽隔離結構的制造方法無效
| 申請號： | 200610128009.6 | 申請日： | 2006-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN101134286A | 公開（公告）日： | 2008-03-05 |
| 發明（設計）人： | 陳彥竹;朱辛堃;蔡騰群;陳佳禧 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合 化學 機械 研磨 溝槽 隔離 結構 制造 方法 | ||
1.一種復合式化學機械研磨法，適于使結構平坦化，包括：
提供研磨液，以第一研磨速度，進行主研磨步驟；以及
進行輔助研磨步驟，以使該結構平坦化，其中該輔助研磨步驟包括：
首先在第一時間內，提供該研磨液；以及
再于第二時間內，加入溶劑，并以第二研磨速度進行研磨，
其中該第二研磨速度小于該第一研磨速度。
2.如權利要求1所述的復合式化學機械研磨法，其中該溶劑包括去離子水。
3.如權利要求1所述的復合式化學機械研磨法，其中該第一時間為0至20秒之間。
4.如權利要求1所述的復合式化學機械研磨法，其中該第二時間為2至20秒之間。
5.如權利要求1所述的復合式化學機械研磨法，其中該研磨液包括高選擇比研磨液。
6.如權利要求1所述的復合式化學機械研磨法，其中該研磨液包括含氧化鈰的溶液。
7.一種淺溝槽隔離結構的制造方法，包括：
提供基底，該基底上已形成有圖案化的掩模層，以及于該基底中已形成有至少一溝槽，且該掩模層暴露出該溝槽；
于該基底上方形成介電層填入該溝槽中；
進行主研磨步驟，移除部分該介電層；
進行輔助研磨步驟，移除部分該介電層與部分該掩模層，其中該輔助研磨步驟，包括：
首先在第一時間內，提供研磨液；以及
再于第二時間內，加入溶劑，并以研磨速度進行研磨，且該研磨速度小于該主研磨步驟的研磨速度；以及
移除該掩模層。
8.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其中該溶劑包括去離子水。
9.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其中該第一時間為0至20秒之間。
10.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其中該第二時間為2至20秒之間。
11.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其中該研磨液包括高選擇比研磨液。
12.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其中該研磨液包括含氧化鈰的溶液。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯華電子股份有限公司，未經聯華電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610128009.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：曲線型面開關
- 下一篇：一種GSM基站語音業務自動測試裝置及其方法
