[發(fā)明專利]立體式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610127547.3 | 申請日: | 2006-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN101145531A | 公開(公告)日: | 2008-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃敏龍;王維中;鄭博仁;余國龍;蘇清輝;羅健文;林千琪 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L25/00;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 梁揮;徐金國 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 立體 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法,特別是一種立體式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
參考圖1,為美國第US4,499,655號專利所揭示的立體式封裝結(jié)構(gòu)在回焊前的示意圖。立體式封裝結(jié)構(gòu)1包括第一單元10及第二單元20。第一單元10包括第一半導(dǎo)性本體11、至少一個(gè)第一孔12、第一導(dǎo)電層(conductivelayer)13及第一焊料(solder)14。第一半導(dǎo)性本體11具有第一表面111和第二表面112,第一表面111具有至少一個(gè)第一焊墊(圖未示)及第一保護(hù)層(protection?layer)113,第一保護(hù)層113暴露出第一焊墊。第一孔12貫穿第一半導(dǎo)性本體11。第一導(dǎo)電層13位于第一孔12的側(cè)壁上,并覆蓋第一焊墊和第一保護(hù)層113。第一焊料14位于第一孔12內(nèi),第一焊料14通過第一導(dǎo)電層13電性連接第一焊墊。第一焊料14上端延伸至第一半導(dǎo)性本體11的第一表面111的上方,其下端延伸至第一半導(dǎo)性本體11的第二表面112的下方。
第二單元20堆棧在該第一單元10上。第二單元20包括第二半導(dǎo)性本體21、至少一個(gè)第二孔22、第二導(dǎo)電層23及第二焊料24。第二半導(dǎo)性本體21具有第一表面211及第二表面212,第一表面211具有至少一個(gè)第二焊墊(圖未示)及第二保護(hù)層213,第二保護(hù)層213暴露出第二焊墊。第二孔22貫穿第二半導(dǎo)性本體21。第二導(dǎo)電層23位于第二孔22的側(cè)壁上,且覆蓋第二焊墊和第二保護(hù)層213。第二焊料24位于第二孔22內(nèi),第二焊料24通過第二導(dǎo)電層23電性連接第二焊墊。第二焊料24上端延伸至第二半導(dǎo)性本體21的第一表面211的上方,其下端延伸至第二半導(dǎo)性本體21的第二表面212的下方。第二焊料24的下端對準(zhǔn)接觸第一焊料14的上端,經(jīng)過回焊(reflow)后,使得第一單元10及第二單元20接合而成為立體式封裝結(jié)構(gòu)1,如圖2所示。
在立體式封裝結(jié)構(gòu)1中,第一焊料14及第二焊料24的形成方式是將第一半導(dǎo)性本體11及第二半導(dǎo)性本體21置于焊料浴(solder?bath)的上方,利用毛細(xì)管現(xiàn)象使焊料進(jìn)入第一孔12及第二孔22,而形成第一焊料14及第二焊料24。
立體式封裝結(jié)構(gòu)1的缺點(diǎn)如下,由于第一焊料14及第二焊料24是利用毛細(xì)管現(xiàn)象形成,因此其上端及下端都是半圓球狀(圖1),如此在第一單元10及第二單元20對準(zhǔn)接合時(shí),會(huì)增加對準(zhǔn)的困難,而且回焊(reflow)后第一單元10及第二單元20間的接合并不穩(wěn)固。此外,多余的半圓球狀的焊料使得第一單元10及第二單元20接合后無法有效地降低整體高度。
因此,有必要提供一種創(chuàng)新且具有進(jìn)步性的立體式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法,以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種立體式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法,以解決上述現(xiàn)有技術(shù)之問題。
為實(shí)現(xiàn)所述之目的,本發(fā)明包括以下步驟:提供半導(dǎo)性本體(semiconductor?body),半導(dǎo)性本體具有第一表面及第二表面,第一表面具有至少一個(gè)焊墊及一保護(hù)層(protection?layer),保護(hù)層可暴露出焊墊;在半導(dǎo)性本體的第一表面上形成至少一個(gè)盲孔;在盲孔的側(cè)壁上形成絕緣層(isolationlayer);形成導(dǎo)電層(conductive?layer),導(dǎo)電層覆蓋焊墊、保護(hù)層及絕緣層;在導(dǎo)電層上形成一干膜(dry?film),干膜在盲孔的相對位置開設(shè)有開口;在盲孔內(nèi)填入焊料(solder);移除干膜;圖案化導(dǎo)電層;移除半導(dǎo)性本體第二表面的一部分及絕緣層的一部份,以暴露出導(dǎo)電層的一部分;堆棧復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)性本體,且進(jìn)行回焊(reflow);及切割堆棧后的半導(dǎo)性本體,以形成復(fù)數(shù)個(gè)立體式封裝結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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