[發(fā)明專利]擇優(yōu)取向的多晶硅薄膜的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610123789.5 | 申請(qǐng)日： | 2006-11-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1967882A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-05-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚若河 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18;H01L21/20 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 擇優(yōu)取向 多晶 薄膜 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華南理工大學(xué)，未經(jīng)華南理工大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610123789.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 控制鋯鈦酸鉛鐵電薄膜擇優(yōu)取向的方法
- 一種具有擇優(yōu)取向的多晶釔鋁石榴石透明陶瓷的制備方法
- 一種AlN薄膜為中間層的高頻聲表面波器件及制備方法
- 一種擇優(yōu)取向的AlN壓電薄膜及其制備方法
- 一種具有擇優(yōu)取向的Cu2ZnSn(S1?xSex)4薄膜
- 一種粉末衍射擇優(yōu)取向參數(shù)確定方法
- 一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法
- 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
- 一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法
- 一種擇優(yōu)生長(zhǎng)的ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法
