[發(fā)明專(zhuān)利]單片流體噴射裝置的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610121676.1
• 申請(qǐng)日: 2006-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101135053A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪益智
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 明基電通股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C28/00
• 分類(lèi)號(hào): C23C28/00;H01L21/02;B41J2/16;B05B1/00;B41J2/135
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種單片流體噴射裝置的制造方法，包括：

提供基底，其中該基底包括第一表面與第二表面；

形成加熱元件與驅(qū)動(dòng)電路在該第一表面上；

沉積第一負(fù)型感光高分子層覆蓋在該第一表面、該加熱元件和該驅(qū)動(dòng)電路上；

形成圖案的光掩模轉(zhuǎn)移層覆蓋在該第一負(fù)型感光高分子層上；

沉積第二負(fù)型感光高分子層覆蓋在該圖案的光掩模轉(zhuǎn)移層與外露的該第一負(fù)型感光高分子層上；

對(duì)該第二與該第一負(fù)型感光高分子層進(jìn)行曝光步驟，以同時(shí)定義噴孔結(jié)構(gòu)與流體腔結(jié)構(gòu)；

形成流體通道，其中該流體通道穿越該基底并分別連接該第二表面與該第一負(fù)型感光高分子層；并且

移除該第二與該第一負(fù)型感光高分子層未曝光的部分與該光掩模轉(zhuǎn)移層，而形成單片流體噴射裝置。

2.如權(quán)利要求1所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該第一負(fù)型感光高分子層經(jīng)曝光后所形成的該流體腔結(jié)構(gòu)具有耐化學(xué)性和抗腐蝕功能。

3.如權(quán)利要求1所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該光掩模轉(zhuǎn)移層包括金屬、抗反射材料或吸光材料。

4.如權(quán)利要求3所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中由該金屬所組成的該光掩模轉(zhuǎn)移層的形成方法包括無(wú)電鍍、鍍、濺鍍或旋轉(zhuǎn)涂布。

5.如權(quán)利要求3所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該形成圖案的光掩模轉(zhuǎn)移層的步驟包括光刻工藝與蝕刻工藝。

6.如權(quán)利要求5所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該蝕刻工藝包括干式蝕刻或濕式蝕刻。

7.如權(quán)利要求6所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該濕式蝕刻可利用蝕刻液或去除劑。

8.如權(quán)利要求1所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該曝光步驟是利用一次黃光技術(shù)同時(shí)定義分別位于該第二與該第一負(fù)型感光高分子層的該噴孔結(jié)構(gòu)與該流體腔結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求8所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該第二負(fù)型感光高分子層經(jīng)曝光后所形成之該噴孔結(jié)構(gòu)具有抗化性和抗腐蝕功能。

10.如權(quán)利要求1所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該流體通道的形成方法包括干式蝕刻或濕式蝕刻。

11.如權(quán)利要求10所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該流體通道的形成方法包括干式蝕刻，且該第一負(fù)型感光高分子層作為蝕刻停止層。

12.如權(quán)利要求10所述的單片流體噴射裝置的制造方法，其中該流體通道的形成方法包括濕式蝕刻，且該第一負(fù)型感光高分子作為芯片保護(hù)層。