[發明專利]使用浸沒光刻工藝制造半導體器件的方法無效
| 申請號： | 200610121212.0 | 申請日： | 2006-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN1916769A | 公開（公告）日： | 2007-02-21 |
| 發明（設計）人： | 鄭載昌;李晟求;潘槿道;卜喆圭;文承燦 | 申請（專利權）人： | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 浸沒 光刻 工藝 制造 半導體器件 方法 | ||
【權利要求書】：
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