[發明專利]二極管多種仿真器格式的SPICE模型建模方法有效
| 申請號: | 200610119557.2 | 申請日: | 2006-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN101201851A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發明(設計)人: | 周天舒 | 申請(專利權)人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人: | 顧繼光 |
| 地址: | 201206上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二極管 多種 仿真器 格式 spice 模型 建模 方法 | ||
1.一種二極管多種仿真器格式的SPICE模型建模方法,其特征在于,包括以下步驟:
第一步,對需要建模的二極管進行HSPICE仿真器格式的二極管模型參數提取,在二極管小電流注入區域提取二極管面積部分的飽和電流參數JS、二極管周長部分的飽和電流參數JSW和二極管的電流復合系數N,在二極管大電流注入區域提取二極管大電流注入時發生電流扭曲的模型參數IK、以及二極管的串聯電阻RS,在二極管反向電流工作區域,提取二極管的擊穿電壓VB和二極管的擊穿電流IBV;
第二步,將HSPICE仿真器格式的重要參數:二極管面積部分的飽和電流參數JS、二極管周長部分的飽和電流參數JSW、二極管大電流注入時發生電流扭曲的模型參數IK、二極管的擊穿電壓VB、二極管的擊穿電流IBV、二極管的電流復合系數N、二極管的串聯電阻RS直接轉換為對應的SPECTRE仿真器格式的二極管模型參數,進行SPECTRE仿真器格式的非大電流注入區域的二極管模型參數提取;
第三步,在第二步中提取的SPECTRE仿真格式二極管模型參數基礎上增加二極管周長部分在大電流注入時發生電流扭曲的模型參數IKP作為模型參數,進行SPECTRE仿真器格式的大電流注入區域的二極管模型參數提取;
第四步,優化IKP的數值。
2.如權利要求1所述的二極管多種仿真器格式的SPICE模型建模方法,其特征在于,所述第四步包括以下幾個步驟:
a,設定IKP的初值在0.01到100之間;
b,進行曲線擬合,并將曲線擬合的數據范圍縮小在二極管大電流注入區域;
c,從初值出發,不斷調整IKP的數值,直到仿真結果與實測數據完全吻合。
3.如權利要求2所述的二極管多種仿真器格式的SPICE模型建模方法,其特征在于,步驟a中確定的IKP的初值為0.5。
4.如權利要求1所述的二極管多種仿真器格式的SPICE模型建模方法,其特征在于,在所述的第三步后增加一步,在第三步中得到的二極管模型參數基礎上增加二極管最大的工作電流IMELT和保證仿真精度的最大允許電流IMAX模型參數,進行SPECTRE仿真器格式的大電流注入區域的二極管模型參數提取。
5.如權利要求4所述的二極管多種仿真器格式的SPICE模型建模方法,其特征在于,設置二極管最大的工作電流IMELT模型參數的值為1e30,設置保證仿真精度的最大允許電流IMAX模型參數的值為1e30。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹NEC電子有限公司,未經上海華虹NEC電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610119557.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:成像裝置及其控制方法
- 下一篇:一種用柱撐粘土制備一氧化碳變換催化劑的方法





