[發明專利]光刻制程及通過該光刻制程形成的晶片

無效

• 申請號: 200610119548.3
• 申請日: 2006-12-13
• 公開（公告）號: CN101201545A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 李德君
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027;C25D5/02;C25D7/12
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種光刻制程，首先在晶片表面的金屬介質層上涂一層光刻膠，在完成該光刻制程后將晶片置于電鍍腔內電鍍，該電鍍腔內設有一個密封圈和一個電極，其特征在于：該制程還包括如下步驟：

a.對晶片邊緣選定區域曝光；

b.將晶片的邊緣保護區域利用一個遮擋物擋住，以便在曝光時不受影響；

c.利用專用的圖形對該晶片進行曝光，該專用圖形間隔設有開孔，使晶片表面光阻間隔曝光；

d.對晶片進行顯影，溶化沒有曝過光的光阻。

2.如權利要求1所述的一種光刻制程，其特征在于：步驟a中的邊緣選定區域是晶片與電鍍密封圈接觸的區域。

3.如權利要求1所述的一種光刻制程，其特征在于：步驟a中對邊緣選定區域的曝光不會在該區域形成光刻圖形。

4.如權利要求1所述的一種光刻制程，其特征在于：步驟b中的邊緣保護區域是在電鍍過程中需要與電鍍的電極接觸的區域。

5.如權利要求1所述的一種光刻制程，其特征在于：步驟d中的沒有曝過光的光阻包括晶片邊緣保護區域的光阻和間隔曝光中沒有曝到光的光阻。

6.一種通過權利要求1所述的光刻制程形成的晶片，其表面上覆蓋有一層金屬介質層，中心部分覆蓋有形成光刻圖形的光阻，邊緣保護區域露出金屬介質層；其特征在于：在邊緣部分和中心部分之間設有一圈邊緣選定區域，該邊緣選定區域上覆蓋有已經曝過光且沒有光刻圖形的光阻。

7.如權利要求6所述的一種通過該光刻制程形成的晶片，其特征在于：邊緣選定區域是晶片與電鍍密封圈接觸的區域。