[發明專利]硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法有效
| 申請號： | 200610119367.0 | 申請日： | 2006-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN101196658A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發明（設計）人： | 蒲賢勇;毛劍宏;陳軼群;傅靜 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;H01L21/311;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 液晶 顯示裝置 反射 制作方法 | ||
1.一種硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，首先在硅基底上形成介電層，其特征在于，還包括下列步驟：
在介電層上形成硬掩膜層；
在硬掩膜層上形成絕緣層；
蝕刻絕緣層和硬掩膜層至露出介電層，形成絕緣凸塊；
在介電層和絕緣凸塊上形成金屬層；
平坦化金屬層和絕緣凸塊，平坦后的絕緣凸塊將金屬層隔離成反射鏡面陣列。
2.根據權利要求1所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：用化學氣相沉積法形成硬掩膜層。
3.根據權利要求2所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：所述硬掩膜層的材料是氮化硅。
4.根據權利要求3所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：所述硬掩膜層的厚度為50埃至1000埃。
5.根據權利要求1所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：用化學氣相沉積法形成絕緣層。
6.根據權利要求5所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：所述絕緣層的材料為正硅酸乙酯。
7.根據權利要求1所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：平坦前的絕緣層厚度為2000埃至10000埃。
8.根據權利要求1至7任一項所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：用干法蝕刻法蝕刻絕緣層和硬掩膜層。
9.根據權利要求1所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：用物理氣相沉積法形成金屬層。
10.根據權利要求9所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：所述金屬層的材料為鋁銅合金。
11.根據權利要求10所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：平坦前的金屬層厚度為1000埃至8000埃。
12.根據權利要求10所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：平坦后的金屬層厚度為500埃至7500埃。
13.根據權利要求11所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，其特征在于：平坦化金屬層和絕緣凸塊的方法是化學機械拋光法。
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