[發(fā)明專利]膜層應(yīng)力檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610119365.1 | 申請(qǐng)日: | 2006-12-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101197299A | 公開(公告)日: | 2008-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何偉明;林益世 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 逯長(zhǎng)明 |
| 地址: | 201203*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 應(yīng)力 檢測(cè) 方法 | ||
1.一種膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,包括:
在半導(dǎo)體襯底上形成圖案化的膜層,所述半導(dǎo)體襯底包含對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,所述圖案化的膜層中包含對(duì)位標(biāo)記及/或測(cè)量標(biāo)記;
利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、對(duì)位標(biāo)記及/或測(cè)量標(biāo)記獲得膜層中不同對(duì)位標(biāo)記及/或測(cè)量標(biāo)記對(duì)應(yīng)區(qū)域的對(duì)位操作偏位信息;
確定膜層對(duì)位操作偏位標(biāo)準(zhǔn);
根據(jù)所述膜層對(duì)位操作偏位標(biāo)準(zhǔn)判別所述膜層中不同對(duì)位標(biāo)記及/或測(cè)量標(biāo)記對(duì)應(yīng)區(qū)域的對(duì)位操作偏位信息;所述對(duì)位操作偏位超出此標(biāo)準(zhǔn)時(shí),判定所述不同對(duì)位標(biāo)記及/或測(cè)量標(biāo)記對(duì)應(yīng)區(qū)域膜層應(yīng)力不滿足產(chǎn)品要求;所述對(duì)位操作偏位滿足此標(biāo)準(zhǔn)時(shí),則判定所述不同對(duì)位標(biāo)記及/或測(cè)量標(biāo)記對(duì)應(yīng)區(qū)域膜層應(yīng)力滿足產(chǎn)品要求。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,其特征在于:所述膜層包含均勻材料層或混合材料層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,其特征在于:所述對(duì)位操作包含膜層間對(duì)位操作及膜層與襯底間的對(duì)位操作;所述膜層間對(duì)位操作包含利用不同膜層中的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行的對(duì)位操作;所述膜層與襯底間的對(duì)位操作包含利用膜層中的對(duì)位標(biāo)記與半導(dǎo)體襯底中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行的對(duì)位操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,其特征在于:所述對(duì)位操作偏位信息包含利用曝光裝置進(jìn)行對(duì)位操作時(shí)獲得的不同膜層中的對(duì)位標(biāo)記間的偏差或膜層中的對(duì)位標(biāo)記與半導(dǎo)體襯底中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記間的偏差。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,其特征在于:所述對(duì)位操作偏位信息包含利用對(duì)位檢測(cè)裝置進(jìn)行對(duì)位操作時(shí)獲得的不同膜層中的測(cè)量標(biāo)記間的偏差。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4或5所述的膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,其特征在于:所述對(duì)位操作偏位信息包含在曝光批報(bào)告或?qū)ξ粰z測(cè)批報(bào)告中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,其特征在于:所述對(duì)位操作偏位信息包含二維平面內(nèi)不同膜層中的對(duì)位標(biāo)記間、不同膜層中的測(cè)量標(biāo)記間或膜層中的對(duì)位標(biāo)記與半導(dǎo)體襯底中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記間的橫向、縱向位移偏差及角度偏差表示。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,其特征在于:所述膜層應(yīng)力判定標(biāo)準(zhǔn)包括所述橫向或縱向位移偏差均小于或等于10納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜層應(yīng)力檢測(cè)方法,其特征在于:所述膜層應(yīng)力判定標(biāo)準(zhǔn)包括所述角度偏差小于或等于30度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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