[發明專利]膜層應力檢測方法有效
| 申請號： | 200610119365.1 | 申請日： | 2006-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN101197299A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發明（設計）人： | 何偉明;林益世 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應力 檢測 方法 | ||
1.一種膜層應力檢測方法，包括：
在半導體襯底上形成圖案化的膜層，所述半導體襯底包含對準標記，所述圖案化的膜層中包含對位標記及/或測量標記；
利用所述對準標記、對位標記及/或測量標記獲得膜層中不同對位標記及/或測量標記對應區域的對位操作偏位信息；
確定膜層對位操作偏位標準；
根據所述膜層對位操作偏位標準判別所述膜層中不同對位標記及/或測量標記對應區域的對位操作偏位信息；所述對位操作偏位超出此標準時，判定所述不同對位標記及/或測量標記對應區域膜層應力不滿足產品要求；所述對位操作偏位滿足此標準時，則判定所述不同對位標記及/或測量標記對應區域膜層應力滿足產品要求。
2.根據權利要求1所述的膜層應力檢測方法，其特征在于：所述膜層包含均勻材料層或混合材料層。
3.根據權利要求1或2所述的膜層應力檢測方法，其特征在于：所述對位操作包含膜層間對位操作及膜層與襯底間的對位操作；所述膜層間對位操作包含利用不同膜層中的對位標記進行的對位操作；所述膜層與襯底間的對位操作包含利用膜層中的對位標記與半導體襯底中的對準標記進行的對位操作。
4.根據權利要求1所述的膜層應力檢測方法，其特征在于：所述對位操作偏位信息包含利用曝光裝置進行對位操作時獲得的不同膜層中的對位標記間的偏差或膜層中的對位標記與半導體襯底中的對準標記間的偏差。
5.根據權利要求1所述的膜層應力檢測方法，其特征在于：所述對位操作偏位信息包含利用對位檢測裝置進行對位操作時獲得的不同膜層中的測量標記間的偏差。
6.根據權利要求1或4或5所述的膜層應力檢測方法，其特征在于：所述對位操作偏位信息包含在曝光批報告或對位檢測批報告中。
7.根據權利要求6所述的膜層應力檢測方法，其特征在于：所述對位操作偏位信息包含二維平面內不同膜層中的對位標記間、不同膜層中的測量標記間或膜層中的對位標記與半導體襯底中的對準標記間的橫向、縱向位移偏差及角度偏差表示。
8.根據權利要求7所述的膜層應力檢測方法，其特征在于：所述膜層應力判定標準包括所述橫向或縱向位移偏差均小于或等于10納米。
9.根據權利要求7所述的膜層應力檢測方法，其特征在于：所述膜層應力判定標準包括所述角度偏差小于或等于30度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
