[發明專利]蝕刻銅或者銅合金的方法

有效

• 申請號: 200610119363.2
• 申請日: 2006-12-08
• 公開（公告）號: CN101195917A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 洪中山;何其旸
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23F1/46
• 分類號: C23F1/46;C23F1/14;H01L21/3213
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種蝕刻銅或者銅合金的方法，包括如下步驟：

將帶有銅或者銅合金的晶圓以及蝕刻劑放入電化學反應裝置的反應槽中，去除需蝕刻的銅或者銅合金；

導通電化學反應裝置。

2.根據權利要求1所述蝕刻銅或者銅合金的方法，其特征在于：所述電化學反應裝置的陰極材料為銅。

3.根據權利要求1所述蝕刻銅或者銅合金的方法，其特征在于：所述蝕刻劑中含有氧化劑、銅及銅合金的至少一種弱絡合劑和一種強絡合劑的混合物、以及水，所述蝕刻劑的pH值為6至12。

4.根據權利要求3所述蝕刻銅或者銅合金的方法，其特征在于：所述氧化劑為過氧化氫、過氧羧酸鹽、過硼酸鹽中的一種或者幾種的混合物。

5.根據權利要求3所述蝕刻銅或者銅合金的方法，其特征在于：所述弱絡合劑與銅的累積穩定常數小于等于10¹⁴。

6.根據權利要求3所述蝕刻銅或者銅合金的方法，其特征在于：所述弱絡合劑為氨、乙二胺、甲胺、四甲基氫氧化銨或者2-羥乙基三甲基氫氧化銨。

7.根據權利要求3所述蝕刻銅或者銅合金的方法，其特征在于：所述強絡合劑為與銅的累積穩定常數大于等于10¹⁵。

8.根據權利要求3所述蝕刻銅或者銅合金的方法，其特征在于：所述強絡合劑是1，2-環己烷二胺四乙酸、乙二胺四乙酸、三亞乙基四胺六乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、2，2-二甲基1，3-二氨基丙烷N，N，N′，N′-四乙酸、順，順，順-3，5-二甲基-1，2-二氛基環戊烷-N，N，N′，N′-四乙酸和順雙環(2.2.2)辛烷-2，3-二胺基-N，N，N，N′-四乙酸。

9.根據權利要求3所述蝕刻銅或者銅合金的方法，其特征在于：pH值通過加入硫酸、乙酸、甲磺酸、氮氧化鈉、氫氧化鉀或者四甲基氫氧化銨進行調節。