[發明專利]金屬前介質層形成方法及其結構

有效

• 申請號: 200610119164.1
• 申請日: 2006-12-05
• 公開（公告）號: CN101197272A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 鄭春生;蔡明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/00;H01L23/532;H01L23/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種金屬前介質層形成方法，包括：

在半導體襯底上形成金屬前介質層沉積基底；

在所述沉積基底上利用第一CVD方法沉積第一金屬前介質層；

在所述第一金屬前介質層上利用第二CVD方法沉積第二金屬前介質層。

2.根據權利要求1所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第一CVD方法為HARP?SACVD。

3.根據權利要求2所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述HARPSACVD設備型號為AMAT?Producer?SE。

4.根據權利要求1或2或3所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第一金屬前介質層材料為無摻雜玻璃。

5.根據權利要求4所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第一金屬前介質層厚度范圍為10～100納米。

6.根據權利要求1所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第二CVD方法包括但不限于傳統的SACVD、PECVD及HDPCVD工藝中的一種。

7.根據權利要求1或6所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第二金屬前介質層材料包括但不限于二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介電常數材料中的一種或其組合。

8.一種金屬前介質層結構，所述金屬前介質層內無沉積孔洞產生，所述金屬前介質層包含順此沉積的第一金屬前介質層及第二金屬前介質層。

9.根據權利要求8所述的金屬前介質層結構，其特征在于：所述第一金屬前介質層材料為無摻雜玻璃。

10.根據權利要求8或9所述的金屬前介質層結構，其特征在于：所述第一金屬前介質層厚度范圍為10～100納米。

11.根據權利要求8所述的金屬前介質層結構，其特征在于：所述第二金屬前介質層材料包括但不限于二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介電常數材料中的一種或其組合。

12.一種膜層形成方法，包括：

在半導體襯底上形成膜層沉積基底；

在所述沉積基底上利用第一CVD方法沉積第一膜層；

在所述第一膜層上利用第二CVD方法沉積第二膜層。

13.根據權利要求12所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第一CVD方法為HARP?SACVD。

14.根據權利要求13所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述HARP?SACVD設備型號為AMAT?Producer?SE。

15.根據權利要求12或13或14所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第一膜層材料為無摻雜玻璃。

16.根據權利要求15所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第一膜層厚度范圍為10～100納米。

17.根據權利要求12所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第二CVD方法包括但不限于傳統的SACVD、PECVD及HDPCVD工藝中的一種。

18.根據權利要求12或17所述的金屬前介質層形成方法，其特征在于：所述第二膜層材料包括但不限于二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介電常數材料中的一種或其組合。

19.一種膜層結構，所述膜層內無沉積孔洞產生，所述膜層包含順此沉積的第一膜層及第二膜層。

20.根據權利要求19所述的金屬前介質層結構，其特征在于：所述第一膜層材料為無摻雜玻璃。

21.根據權利要求19或20所述的金屬前介質層結構，其特征在于：所述第一膜層厚度范圍為10～100納米。

22.根據權利要求19所述的金屬前介質層結構，其特征在于：所述第二膜層材料包括但不限于二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介電常數材料中的一種或其組合。