[發明專利]通孔刻蝕方法有效
| 申請號： | 200610119159.0 | 申請日： | 2006-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN101197274A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發明（設計）人： | 元琳;高穎;劉玉麗 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 方法 | ||
1.一種通孔刻蝕方法，包括：
在半導體襯底上形成通孔刻蝕基底；
在所述通孔刻蝕基底上沉積犧牲層；
刻蝕所述犧牲層；
沉積填充層，所述填充層覆蓋犧牲層及所述通孔刻蝕基底；
執行一熱氧化或氮氧化制程；
在熱氧化或氮氧化后的所述填充層上沉積介質層；
去除覆蓋犧牲層上表面的所述介質層和熱氧化或氮氧化后的所述填充層；
刻蝕犧牲層，形成通孔。
2.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述犧牲層材料包含多晶硅及/或非晶硅。
3.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述填充層材料包含多晶硅及/或非晶硅。
4.根據權利要求1或2或3所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述填充層材料與所述犧牲層材料相同。
5.一種通孔刻蝕方法，包括：
在半導體襯底上形成通孔刻蝕基底；
在所述通孔刻蝕基底上沉積犧牲層；
刻蝕所述犧牲層；
沉積填充層，所述填充層覆蓋犧牲層及所述通孔刻蝕基底；
執行一熱氧化或氮氧化制程；
在熱氧化或氮氧化后的所述填充層上沉積阻擋層；
在所述阻擋層上沉積介質層；
去除覆蓋犧牲層上表面的所述介質層、阻擋層和熱氧化或氮氧化后的所述填充層；
刻蝕犧牲層，形成通孔。
6.根據權利要求5所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述犧牲層材料包含多晶硅及/或非晶硅。
7.根據權利要求5所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述填充層材料包含多晶硅及/或非晶硅。
8.根據權利要求5或6或7所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述填充層材料與所述犧牲層材料相同。
9.根據權利要求5所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述阻擋層材料為氮化硅。
10.一種通孔刻蝕方法，包括：
在半導體襯底上形成通孔刻蝕基底；
在所述通孔刻蝕基底上沉積犧牲層；
刻蝕所述犧牲層；
沉積填充層，所述填充層覆蓋犧牲層及所述通孔刻蝕基底；
執行一熱氧化制程；
在熱氧化后的所述填充層上沉積粘接層；
在所述粘接層上沉積阻擋層；
在所述阻擋層上沉積介質層；
去除覆蓋犧牲層上表面的所述介質層、阻擋層、粘接層和熱氧化后的所述填充層；
刻蝕犧牲層，形成通孔。
11.根據權利要求10所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述犧牲層材料包含多晶硅及/或非晶硅。
12.根據權利要求10所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述填充層材料包含多晶硅及/或非晶硅。
13.根據權利要求10或11或12所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述填充層材料與所述犧牲層材料相同。
14.根據權利要求10所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述阻擋層材料為氮化硅。
15.根據權利要求10所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述粘接層材料為氮氧化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
