[發明專利]檢驗閃存單元電性能的方法無效
| 申請號： | 200610119139.3 | 申請日： | 2006-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN101197196A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發明（設計）人： | 金泰圭;金鐘雨;葉向華 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/52 | 分類號： | G11C29/52;G11C29/00;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 檢驗 閃存 單元 性能 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種檢驗閃存單元電性能的方法，包括首次存儲電子編程、預檢、使用模擬、終檢，其特征在于，在所述使用模擬之前對于通過預檢的閃存單元再次進行存儲電子編程。
2.如權利要求1所述的檢驗閃存單元電性能的方法，其特征在于，所述首次存儲電子編程是向閃存單元的浮柵進行熱電子注入。
3.如權利要求2所述的檢驗閃存單元電性能的方法，其特征在于，所述首次存儲電子編程的持續時間為4微秒。
4.如權利要求1所述的檢驗閃存單元電性能的方法，其特征在于，所述預檢為判斷閃存單元的閾值電壓是否達到規定的參考值6.5V。
5.如權利要求1所述的檢驗閃存單元電性能的方法，其特征在于，所述再次存儲電子編程是向閃存單元的浮柵進行熱電子注入。
6.如權利要求5所述的檢驗閃存單元電性能的方法，其特征在于，所述熱電子注入時間為3-5微秒。
7.如權利要求1所述的檢驗閃存單元電性能的方法，其特征在于，所述使用模擬是對閃存單元進行24小時，溫度為250度的烘培。
8.如權利要求1所述的檢驗閃存單元電性能的方法，其特征在于，所述終檢為判斷閃存單元的閾值電壓是否仍維持在規定的參考值6.5V。
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