[發明專利]化學機械研磨后殘留物的去除方法有效
| 申請號： | 200610119134.0 | 申請日： | 2006-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN101197268A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發明（設計）人： | 張斐堯;李福洪;杜應提;薛景星 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/302 | 分類號： | H01L21/302;H01L21/306;H01L21/321;H01L21/3213;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學 機械 研磨 殘留物 去除 方法 | ||
1.一種化學機械研磨后殘留物的去除方法，包括：
提供一半導體晶片；用含有氧化劑和研磨劑的研磨液對所述半導體晶片表面進行化學機械研磨；
用酸性溶液對所述半導體晶片表面進行清洗。
2.如權利要求1所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：所述氧化劑為硝酸鐵、氰亞鐵酸鹽、硫酸鹽、高錳酸鹽中的一種或其組合。
3.如權利要求1所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：所述研磨劑為CMP3200、CR90中的一種或其組合。
4.如權利要求1所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：所述酸性溶液為草酸、檸檬酸、醋酸、氫氟酸中的一種。
5.如權利要求4所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：所述草酸溶液的PH值為4至5。
6.如權利要求4所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：所述草酸溶液的濃度為0.2％至1.5％。
7.如權利要求1所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：所述用酸性溶液對所述半導體晶片表面進行清洗的時間為5至300秒。
8.如權利要求7所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：用酸性溶液對所述半導體晶片表面進行的清洗同時進行超聲波清洗。
9.如權利要求1所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：該方法還包括用毛刷對所述半導體晶片表面進行擦洗的步驟。
10.如權利要求9所述的化學機械研磨后殘留物的去除方法，其特征在于：該方法還包括用去離子水對所述半導體晶片表面進行清洗并甩干的步驟。
11.一種化學機械研磨后殘留物的去除方法，包括：
提供一表面經過化學機械研磨的半導體晶片；
用草酸溶液對所述半導體晶片表面進行清洗。
12.一種半導體晶片表面殘留物的去除方法，包括：
提供一表面有殘留物的半導體晶片；
用草酸溶液對所述半導體晶片表面進行清洗。
13.如權利要求12所述的半導體晶片表面殘留物的去除方法，其特征在于：所述殘留物為含鐵的鹽、金屬鎢的氧化物、研磨劑顆粒中的一種或組合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610119134.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種電視機智能關機的裝置和方法
- 下一篇：一種黑米飲料的制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
