[發(fā)明專利]硅基液晶顯示器單元及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610119059.8 | 申請日: | 2006-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN101196655A | 公開(公告)日: | 2008-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃河;蒲賢勇;毛劍宏;陳軼群;傅靜;洪中山;向陽輝 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/136 | 分類號: | G02F1/136;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液晶顯示器 單元 及其 形成 方法 | ||
1.一種硅基液晶顯示器單元,包括硅基片,位于硅基片的像素開關(guān)電路層,所述像素開關(guān)電路層包括一個金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管;位于像素開關(guān)電路層上的光屏蔽層;位于光屏蔽層上的絕緣層;位于絕緣層上的微反射鏡層,所述微反射鏡層、絕緣層和光屏蔽層構(gòu)成電容器,所述微反射鏡層與金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管的源端相電連接,其特征在于:所述光屏蔽層接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元,其特征在于:所述光屏蔽層中還形成有與光屏蔽層隔絕的連接鏡面墊層,所述連接鏡面墊層和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管的源端相電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅基液晶顯示器單元,其特征在于:所述絕緣層還形成有開口,所述開口內(nèi)填充有導(dǎo)電材料,所述開口內(nèi)填充的導(dǎo)電材料把微反射鏡層和連接鏡面墊層相電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元,其特征在于:所述光屏蔽層通過像素開關(guān)電路層的通孔和接地墊層相電連接,所述接地墊層接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元,其特征在于:所述絕緣層厚度范圍為100至。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元,其特征在于:所述絕緣層為所述絕緣層為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁、氧化鋯或者它們的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元,其特征在于:所述微反射鏡層為鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元,其特征在于:所述光屏蔽層為金屬鈦、氮化鈦、鋁銅合金、氮化鈦或它們的組合構(gòu)成。
9.一種硅基液晶顯示器單元的形成方法,包括在硅基片上形成像素開關(guān)電路層,所述像素開關(guān)電路層包括一個金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管;在像素開關(guān)電路層上形成光屏蔽層;在光屏蔽層上形成絕緣層;在絕緣層上形成微反射鏡層,所述微反射鏡層、絕緣層和光屏蔽層構(gòu)成電容器,所述微反射鏡層與金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管的源端相電連接,其特征在于:所述光屏蔽層接地。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅基液晶顯示器單元的形成方法,其特征在于:在所述光屏蔽層中形成與光屏蔽層隔絕的連接鏡面墊層,所述連接鏡面墊層和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管的源端相電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的硅基液晶顯示器單元的形成方法,其特征在于:在所述絕緣層中形成開口,在所述開口內(nèi)填充導(dǎo)電材料,所述開口內(nèi)填充的導(dǎo)電材料把微反射鏡層和連接鏡面墊層相電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元的形成方法,其特征在于:所述光屏蔽層通過像素開關(guān)電路層的通孔和接地墊層相電連接,所述接地墊層接地。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅基液晶顯示器單元的形成方法,其特征在于:所述絕緣層厚度范圍為100至。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元的形成方法,其特征在于:所述絕緣層為所述絕緣層為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁、氧化鋯或者它們的組合。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元的形成方法,其特征在于:所述微反射鏡層為鋁。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示器單元的形成方法,其特征在于:所述光屏蔽層為金屬鈦、氮化鈦、AlCu合金、氮化鈦或者它們的組合構(gòu)成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,未經(jīng)中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610119059.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





