[發明專利]金屬－絕緣體－金屬電容器及其制造方法無效
| 申請號： | 200610118812.1 | 申請日： | 2006-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN101192513A | 公開（公告）日： | 2008-06-04 |
| 發明（設計）人： | 沈滿華;胡友存 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/82;H01L29/92;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 絕緣體 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種金屬-絕緣體-金屬電容器的制造方法，包括：
在絕緣層上形成第一金屬層；
在所述第一金屬層上形成第一電介質層；
在所述第一電介質層上形成第二電介質層；
在所述第二電介質層中刻蝕出溝槽；
在所述溝槽中形成第二金屬層；
平坦化所述第二金屬層和所述第二電介質層直至露出所述第二電介質層的表面。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一電介質層和所述第二電介質層的材料相同。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述材料為氮化硅或氮氧化硅。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一電介質層的材料為高介電常數材料。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一金屬層的材料為銅。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二金屬層的材料為鉭。
7.一種金屬-絕緣體-金屬電容器，包括：在絕緣層上形成的下電極板；在所述下電極板上形成的電介質層；在所述電介質層上形成的金屬間介電層和上電極板；其特征在于：所述金屬間介電層中具有溝槽，所述上電極板位于所述溝槽內。
8.如權利要求7所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：所述電介質層和所述金屬間介電層的材料相同。
9.如權利要求8所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：所述材料為氮化硅或氮氧化硅。
10.如權利要求7所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：所述上電極板的材料為鉭。
11.如權利要求7所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：所述下電極板的材料為銅。
12.如權利要求7所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：所述電介質層的材料為高介電常數材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
