[發明專利]一種玻璃襯底上制備牢固碳膜的方法

無效

• 申請號: 200610118331.0
• 申請日: 2006-11-14
• 公開（公告）號: CN101182131A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 華縝;王紅光;曹章軼
• 申請（專利權）人: 上海廣電電子股份有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36;C03C17/06;C03C17/22
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 吳寶根

1.一種玻璃襯底上制備牢固碳膜的方法，其特征在于，按如下具體制作步驟進行：

1)先在玻璃上沉積一層鉻、鉑、鉬、鉭、鈦、錫、鉍、銻、銦中的任何一種金屬薄膜；

2)再在所述金屬薄膜上沉積鐵、鈷、鎳、鈀中的任何一種金屬的薄膜；

3)然后用常規的化學氣相沉積法生長碳膜，生長碳膜時的襯底溫度為400℃～600℃。

2.根據權利要求1所述的玻璃襯底上制備牢固碳膜的方法，其特征在于，所述步驟1)中金屬薄膜的厚度為0.1nm至50nm，所述步驟2)中金屬薄膜的厚度為10nm至50nm。

3.根據權利要求1所述的玻璃襯底上制備牢固碳膜的方法，其特征在于，所述步驟1)、步驟2)中的金屬能通過電子束蒸發，濺射方法制備。

4.一種玻璃襯底上制備堅固碳膜的方法，其特征在于，按如下具體制作步驟進行：

1)在玻璃上沉積鉻、鉑、鉬、鉭、鈦、錫、鉍、銻、銦中的任何一種金屬與鐵、鈷、鎳、鈀中的合金或其金屬氧化物作為催化劑；

2)然后用常規的化學氣相沉積法生長碳膜，生長碳膜時的襯底溫度為400℃～600℃。

5.根據權利要求4所述的玻璃襯底上制備牢固碳膜的方法，其特征在于，所述步驟1)在制作合金薄膜催化劑時，利用電子束蒸發的真空鍍膜系統，采用多組分共蒸發的方法，能任意控制薄膜的組分和厚度。

6.根據權利要求4所述的玻璃襯底上制備牢固碳膜的方法，其特征在于，所述步驟1)中其合金薄膜厚度為10nm至500nm。

7.根據權利要求4所述的玻璃襯底上制備牢固碳膜的方法，其特征在于，所述步驟1)中的催化劑薄膜金屬氧化物能通過電子束蒸發，氧化氣氛濺射，金屬熱處理方法制備。