[發明專利]不對稱高壓MOS器件柵氧化層保護方法及其應用有效
| 申請號： | 200610118022.3 | 申請日： | 2006-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN101178537A | 公開（公告）日： | 2008-05-14 |
| 發明（設計）人： | 崔崟;郭兵;金起凖;程超;梅奎 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 不對稱 高壓 mos 器件 氧化 保護 方法 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種HV?MOS的不對稱器件的柵氧化層的方法，含有SDOP掩膜版的窗口圖形的修改和刻蝕工藝，其特征是將SDOP的掩膜中不對稱器件的源極LDD注入用的的刻蝕窗口遠離柵氧化層一定距離。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于對不對稱器件的源極接觸孔上方的氧化層的刻蝕工藝由干法刻蝕和濕法刻蝕兩個步驟構成。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于干法刻蝕刻蝕掉不對稱器件源極接觸孔上方的氧化層總厚度的80％，濕法刻蝕刻蝕掉氧化層總厚度的20％。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于該方法使用在0.18um高壓不對稱結構LDMOS器件制造中。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于在該器件的SDOP的掩膜中，不對稱結構LDMOS器件的源極LDD注入用的刻蝕窗口距離柵極氧化層0.2um。
6.如權利要求4所述的方法，其特征在于上述高壓不對稱結構LDMOS器件源區接觸孔氧化層的刻蝕條件是先用碳氟化合物進行干法刻蝕，接著用HF去除剩余的氧化層。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于該不對稱器件的源區接觸孔氧化層的刻蝕時間是干法刻蝕約1.5分鐘，濕法刻蝕約2分鐘。
8.如權利要求1～7中任意一項所述的方法制造的高壓不對稱結構LDMOS器件，其特征在于柵氧化層是完整的。
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