[發(fā)明專利]調(diào)節(jié)器件閾值電壓的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610117834.6
• 申請日: 2006-11-01
• 公開（公告）號: CN101174586A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周貫宇;胡君;錢文生
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種調(diào)節(jié)器件閾值電壓的方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，淺溝槽隔離形成；

第二步，P阱注入；

第三步，N阱注入；

第四步，柵氧化；

第五步，輕摻雜漏極和暈圈注入；

第六步，邊墻形成；

第七步，源漏極注入及退火；

第八步，難熔金屬硅化物形成；

第九步，形成金屬沉淀前的層間介質(zhì)膜；

第十步，形成NMOS和PMOS溝道調(diào)節(jié)光罩；

第十一步，NMOS和PMOS溝道調(diào)節(jié)區(qū)刻蝕；

第十二步，形成NMOS溝道調(diào)節(jié)光罩；

第十三步，NMOS溝道調(diào)節(jié)注入；

第十四步，形成PMOS溝道調(diào)節(jié)光罩；

第十五步，PMOS溝道調(diào)節(jié)注入。

2.一種調(diào)節(jié)器件閾值電壓的方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，淺溝槽隔離形成；

第二步，P阱注入；

第三步，N阱注入；

第四步，柵氧化；

第五步，輕摻雜漏極和暈圈注入；

第六步，邊墻形成；

第七步，源漏極注入及退火；

第八步，難熔金屬硅化物形成；

第九步，形成金屬沉淀前的層間介質(zhì)膜；

第十步，形成NMOS和PMOS溝道調(diào)節(jié)光罩；

第十一步，NMOS和PMOS溝道調(diào)節(jié)區(qū)刻蝕；

第十二步，形成PMOS溝道調(diào)節(jié)光罩；

第十三步，PMOS溝道調(diào)節(jié)注入；

第十四步，形成NMOS溝道調(diào)節(jié)光罩；

第十五步，NMOS溝道調(diào)節(jié)注入。