[發(fā)明專利]用于相變存儲器的鍺鈦基存儲材料及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610117815.3 | 申請日： | 2006-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN1953229A | 公開（公告）日： | 2007-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋志棠;沈婕;劉波;封松林;陳邦明 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;C23C14/14;C23C16/06 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 相變 存儲器 鍺鈦基 存儲 材料 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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