[發明專利]一種用于套刻精度的透鏡成像系統及其反饋和校準方法

有效

• 申請號: 200610117425.6
• 申請日: 2006-10-23
• 公開（公告）號: CN101169591A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發明（設計）人: 蔣運濤;伍強
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵;李雋松

1.一種用于套刻精度測量的透鏡成像系統，其特征在于，包括：主透鏡、傅立葉平面附近的分束板、反光鏡、投影透鏡、焦平面空間像收集探測器陣列、附屬照明光源和計算模塊，所述透鏡成像系統可用于掃描式光刻機或非掃描式光刻機；所述透鏡成像系統具有自我校準的能力或將在其他設備上測量硅片的測量數據用于校準；所述分束板與通過所述主透鏡進入所述透鏡成像系統的光路呈45度夾角，且所述分束板的反射面朝向被光刻器件的一側；在經過所述分束板反射后與光刻光路相垂直的光路上設置有所述反射鏡，所述反射鏡的法線與所述分束板的法線相平行，且所述反射鏡的反射面朝向所述分束板一側；在經過所述反射鏡反射之后的光路上設置有所述焦平面空間像收集探測器陣列。

2.一種套刻精度的反饋和校準方法，可運用于根據權利要求1所述的透鏡成像系統，其特征在于，包括：首先將掩膜板平面上的套刻標記通過光刻機投影透鏡投射到硅片表面，再通過硅片表面反射回來，并且通過所述45度角度分束板投影到所述焦平面空間像探測器陣列上，同時將硅片平臺上的套刻標記的像通過所述45度角度分束板投影到所述焦平面空間像探測器陣列上；然后由所述計算模塊將上述兩組像的中心位置值進行比較，并計算得出套刻精度數據。

3.根據權利要求2所述的套刻精度的反饋和校準方法，其特征在于，所述比較是指按下列任一辦法進行測量和補正：

可以在曝光前對每枚硅片進行實時精確測量，將測量結果直接補正到光刻機上，對本枚硅片直接進行補正；

也可以對每個Lot的第一枚先進行實時精確測量和反饋，在接下來的硅片曝光時，直接使用前一硅片的測量值作為補正值，同時測量本枚硅片的對準精度，以取得下一枚硅片的補正值；

還可以選擇第一和第n枚硅片進行精確測量，其中本lot的第2-(n-1)枚直接采用第一枚硅片的精確測量結果進行補正，從n+1枚硅片開始使用第一和第n枚硅片精確測量的結果進行補正。

4.根據權利要求3所述的套刻精度的反饋和校準方法，其特征在于，所述套刻精度的反饋和校準方法可用于8英寸、12英寸、18英寸、以及更加大尺寸的光刻設備。