[發(fā)明專利]雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610116902.7
• 申請日: 2006-09-30
• 公開（公告）號: CN101154048A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林益世
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法，包括：

形成雙鑲嵌基體，所述雙鑲嵌基體包含順序疊加的刻蝕終止層、介質(zhì)層、第一抗反射涂層及圖案化的第一光致抗蝕劑層；

順序刻蝕第一抗反射涂層、介質(zhì)層，形成通孔；

移除圖案化的第一光致抗蝕劑層及第一抗反射涂層；

涂覆第二抗反射涂層；

利用確定機(jī)臺完成所述第二抗反射涂層的第一烘干過程；

利用上述機(jī)臺或另一機(jī)臺完成所述第二抗反射涂層的第二烘干過程，并形成圖案化所述第二光致抗蝕劑層；

刻蝕第二抗反射涂層及介質(zhì)層，并去除通孔底部刻蝕終止層，形成溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于：所述第二抗反射涂層的第一烘干過程與第二烘干過程的間隔時間范圍為0～72小時。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于：所述抗反射涂層材料包括氮氧化硅、碳氧化硅以及深紫外光吸收氧化物等材料中的一種或其組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于：所述介質(zhì)層材料包括黑鉆石、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、有機(jī)聚合物材料如聚酰亞胺、有機(jī)硅氧烷聚合物、聚亞芳基醚、碳摻雜硅酸鹽玻璃、倍半硅氧烷玻璃、氟化或非氟化硅酸鹽玻璃、金剛石狀無定形碳以及芳族烴聚合物等材料中的一種或其組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于：所述第二抗反射涂層的第一烘干溫度為100～150攝氏度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于：所述第二抗反射涂層的第二烘干溫度為200～300攝氏度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于：所述第二光致抗蝕劑層的烘干溫度為90～110攝氏度。