[發明專利]在銅化學機械研磨工藝中減少晶片被腐蝕的方法

有效

• 申請號: 200610116896.5
• 申請日: 2006-10-08
• 公開（公告）號: CN101157186A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 陳肖科
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;H01L21/304
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種在銅化學機械研磨工藝中減少晶片被腐蝕的方法，其特征在于，在晶片被研磨后并在晶片放回到研磨頭清洗吸放裝置前，等待從研磨設備轉移到清洗裝置期間，打開研磨設備上的研磨頭清洗吸放裝置中的噴水嘴，用以清洗掉黏附在晶片上的研磨液。

2.如權利要求1所述的在銅化學機械研磨工藝中減少晶片被腐蝕的方法，其特征在于，所述打開噴水嘴是指同時打開研磨頭清洗吸放裝置中的清洗杯的噴水嘴和吸放平臺上的噴水嘴。

3.如權利要求1或2所述的在銅化學機械研磨工藝中減少晶片被腐蝕的方法，其特征在于，它進一步包括，同時讓研磨頭以一定速度旋轉。

4.如權利要求1或2所述的在銅化學機械研磨工藝中減少晶片被腐蝕的方法，其特征在于，它進一步包括，在與所述噴水嘴相鄰的管路上增加調壓閥，用于控制噴水嘴噴射液體的壓力。

5.如權利要求3所述的在銅化學機械研磨工藝中減少晶片被腐蝕的方法，其特征在于，它進一步包括，在與所述噴水嘴相連的管路上增加調壓閥，用于控制噴水嘴噴射液體的壓力。

6.如權利要求1或2所述的在銅化學機械研磨工藝中減少晶片被腐蝕的方法，其特征在于，改進所述研磨頭清洗吸放裝置中的吸放平臺上的噴水嘴的形狀，使其噴射出的液體呈散開狀。

7.如權利要求1或2所述的在銅化學機械研磨工藝中減少晶片被腐蝕的方法，其特征在于，所述噴水嘴噴射出的液體采用去離子水或緩蝕劑或芯片保護液。