[發明專利]凸點制作方法有效
| 申請號: | 200610116854.1 | 申請日: | 2006-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN101154604A | 公開(公告)日: | 2008-04-02 |
| 發明(設計)人: | 丁萬春;李德君;孟津 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制作方法 | ||
1.一種凸點制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
在芯片上沉積凸點下金屬層;
在凸點下金屬層上形成光刻膠層、并通過曝光和顯影形成光刻膠開口;
在光刻膠開口位置的凸點下金屬層上形成厚度不大于光刻膠厚度的第一層焊料;
在第一層焊料上沉積第二層焊料,其中,第二層焊料的熔融溫度小于第一層焊料的熔融溫度;
去除光刻膠和凸點下金屬層;
回流第二層焊料形成凸點。
2.根據權利要求1所述的凸點制作方法,其特征在于,所述第一層焊料的熔融溫度與第二層焊料的熔融溫度的差值大于50℃。
3.根據權利要求1所述的凸點制作方法,其特征在于,形成第一層焊料和第二層焊料的工藝為電鍍工藝。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的凸點制作方法,其特征在于,第一層焊料的厚度為30至200um。
5.根據權利要求4所述的凸點制作方法,其特征在于,第一層焊料的厚度為50至150um。
6.根據權利要求5所述的凸點制作方法,其特征在于,第一層焊料的厚度為60至120um。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的凸點制作方法,其特征在于,回流后第二層焊料的厚度為2至20um。
8.根據權利要求3所述的凸點制作方法,其特征在于,第一層焊料為鉛的質量百分比含量高于95%的高鉛鉛錫合金,第二層焊料為共晶鉛錫合金。
9.根據權利要求8所述的凸點制作方法,其特征在于,回流第二層焊料的溫度為210℃至245℃。
10.根據權利要求8所述的凸點制作方法,其特征在于,鉛的質量百分比含量高于95%的高鉛鉛錫合金的電鍍工藝包括如下步驟:
在凸點下金屬層上以0.1A/dm2至1A/dm2的電流密度電鍍1至5分鐘;
在3A/dm2至10A/dm2的電流密度下電鍍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





