[發明專利]下變頻混頻器有效
| 申請號： | 200610116709.3 | 申請日： | 2006-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN101154922A | 公開（公告）日： | 2008-04-02 |
| 發明（設計）人： | 黃颋;項斌 | 申請（專利權）人： | 銳迪科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03D7/00 | 分類號： | H03D7/00;H03D7/18;H03D7/12;H04B1/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 陳平 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 變頻 混頻器 | ||
1.一種下變頻混頻器，包括NMOS場效應管M1、M2、M3和M4，所述NMOS場效應管M1和M2的源極都與一個電容C1的同一端相連接，所述電容C1的另一端為差分射頻信號VRFP的輸入端，所述NMOS場效應管M3和M4的源極都與一個電容C2的同一端相連接，所述電容C2的另一端為差分射頻信號VRFN的輸入端，所述NMOS場效應管M1和M4的柵極與一個本振信號的正交四相時鐘的VLOP端相連接，所述NMOS場效應管M2和M3的柵極與所述本振信號的正交四相時鐘的VLON端相連接，所述NMOS場效應管M1的漏極與M3的漏極相連接，所述NMOS場效應管M2的漏極與M4的漏極相連接，其特征在于，所述NMOS場效應管M1與M3的漏極連接到一個電流-電壓轉換器的輸入端，該電流-電壓轉換器的輸出端為混頻信號輸出端VIFP；所述NMOS場效應管M2與M4的漏極連接到另外一個電流-電壓轉換器的輸入端，該另外一個電流-電壓轉換器的輸出端為混頻信號輸出端VIFN。
2.根據權利要求1所述的下變頻混頻器，其特征在于，所述電流-電壓轉換器包括PMOS場效應管M5和NMOS場效應管M6，所述PMOS場效應管M5的柵極與所述NMOS場效應管M6的柵極相連接，并且作為所述電流-電壓轉換器的輸入端；所述PMOS場效應管M5的漏極與所述NMOS場效應管M6的漏極相連接，并且作為所述電流-電壓轉換器的輸出端；所述PMOS場效應管M5的源極接電源端，所述NMOS場效應管M6的源極接地；一個電容C5，其一端連接到所述電流-電壓轉換器的輸入端，另一端連接到所述電流-電壓轉換器的輸出端；一個電阻R3，其一端連接到所述電流-電壓轉換器的輸入端，另一端連接到所述電流-電壓轉換器的輸出端；一個電容C6，一端連接到所述電流-電壓轉換器的輸出端，另一端接地。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于銳迪科微電子（上海）有限公司，未經銳迪科微電子（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610116709.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
