[發(fā)明專利]一種太陽能電池芯片的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610116651.2 | 申請日: | 2006-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN101154694A | 公開(公告)日: | 2008-04-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陸泉鳴;鄭國富 | 申請(專利權)人: | 上海神優(yōu)太陽能科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人: | 翁若瑩 |
| 地址: | 200126上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 芯片 制作方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種太陽能電池芯片的制作方法,可用于SY系列中的SY電池組件,屬于太陽能電池芯片技術領域。
背景技術
太陽能電池片在正常情況下其表面有柵線和主柵線,背面有背極線,由于太陽能電池片很薄,僅200-300um左右厚,非常易碎,稍有不慎,就會使太陽能電池片損壞,而造成電池片報廢,報廢電池片往往沒有主柵線和背極線,目前的補救方法是在太陽能電池片表面涂上薄薄的一層銀漿,再經(jīng)120℃的溫度烘烤,銀漿與電池片表面黏結在一起,為了將電池片與電池片串聯(lián)或并聯(lián)在一起,需要將焊錫用電烙鐵把電池片和導線連在一起,這樣做經(jīng)常會出現(xiàn)虛焊,假焊,銀漿脫落等問題從而導致成品的合格率僅為40-50%,除此之外,它還會使太陽能電池片性能降低,尤其是承受負載的能力有明顯的下降。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種提高報廢太陽能電池片的利用率和生產(chǎn)合格率的太陽能電池芯片的制作方法。
為實現(xiàn)以上目的,本發(fā)明的技術方案是提供一種太陽能電池芯片的制作方法,
其特征在于,采用粘接劑粘接方法,其方法為:
步驟1.將報廢的太陽能電池片按一定規(guī)格切割成片;
步驟2.用酒精清洗電池片粘接部位;
步驟3.用粘接劑涂于電池片粘接部分;
步驟4.將涂錫焊帶與粘接劑進行粘接;
步驟5.將粘接好的電池片放入烘箱,烘箱溫度調(diào)節(jié)至80-120℃,45-90分鐘后,關閉烘箱,并在烘箱內(nèi)冷卻1-1.5小時;
步驟6.從烘箱內(nèi)取出,再于100℃-200℃加熱2-4小時即可固化;
步驟7.最后檢測電池片的電池能參數(shù)。
所述的粘接劑由E-51環(huán)氧樹脂20~32、W-95環(huán)氧樹脂8.5~13.9、環(huán)氧稀釋劑600#2.8~4.5、聚烯配縮丁酸2~3.2、液態(tài)羧基丁晴橡膠2.8~4.5、間苯二胺5.9~8.7、2-乙基-4-甲基咪唑0.39~1.2、300目銀粉32~57的重量百分比原料組成,按配方計量后,將其他各原料混勻,拌勻,最后加入間苯二胺,調(diào)勻后即可使用。
本發(fā)明原料采用報廢的太陽能電池片,采用粘接劑,免焊接,操作工藝簡單。成品的合格率能達到98%以上,較過去翻了一番,經(jīng)濟效益非常顯著,更重要的是變廢為寶。
本發(fā)明的優(yōu)點是提高了報廢太陽能電池片的利用率和生產(chǎn)合格率。
具體實施方式
以下結合實施例對本發(fā)明作進一步說明。
實施例1
粘接劑的制備:
由E-51環(huán)氧樹脂25、W-95環(huán)氧樹脂10、環(huán)氧稀釋劑600#4、聚烯配縮丁酸3、液態(tài)羧基丁晴橡膠3.5、間苯二胺6.5、2-乙基-4-甲基咪唑0.5、300目銀粉47.5重量百分比原料組成,按配方計量后,將其他各原料混勻,拌勻,最后加入間苯二胺,調(diào)勻后即可使用。
一種太陽能電池芯片的制作方法為:
步驟1:將報廢的太陽能電池片按一定規(guī)格切割成片;
步驟2:用酒精清洗電池片粘接部位;
步驟3:用粘接劑涂于電池片粘接部分;
步驟4:將涂錫焊帶與粘接劑進行粘接;
步驟5:將粘接好的電池片放入烘箱,烘箱溫度調(diào)節(jié)至100℃,60分鐘后,關閉烘箱,并在烘箱內(nèi)冷卻1小時;
步驟6.從烘箱內(nèi)取出,再于150℃加熱3小時即可固化;
步驟7.最后檢測電池片的電池能參數(shù)。
實施例2
粘接劑的制備:
由E-51環(huán)氧樹脂30、W-95環(huán)氧樹脂12、環(huán)氧稀釋劑600#3.5、聚烯配縮丁酸3、液態(tài)羧基丁晴橡膠3.5、間苯二胺8、2-乙基-4-甲基咪唑0.65、300目銀粉39.35的重量百分比原料組成,按配方計量后,將其他各原料混勻,拌勻,最后加入間苯二胺,調(diào)勻后即可使用。
一種太陽能電池芯片的制作方法與實施例1一樣。
太陽能電池芯片性能對比表
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





